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[工学]第四章存储器系统
第四章 存储器系统 4.1概述 存储器系统的主要性能是指标容量、速度和成本。 存储容量是存储器系统的首要性能指标,因为存储容量越大,则系统能够保存的信息量就越多,相应计算机系统的功能就越强; 存储器的存取速度直接决定了整个微机系统的运行速度,因此,存取速度也是存储器系统的重要的性能指标; 存储器的成本也是存储器系统的重要性能指标。 采用三级存储器结构,即使用高速缓冲存储器、主存储器和辅助存储器,由这三者构成一个统一的存储系统。从整体看,其速度接近高速缓存的速度,其容量接近辅存的容量,而其成本则接近廉价慢速的辅存平均价格。 一、 存储器分类 1.按构成存储器的器件和存储介质分类 按构成存储器的器件和存储介质主要可分为:磁芯存储器、半导体存储器、光电存储器、磁膜、磁泡和其它磁表面存储器以及光盘存储器等。 2.按存取方式分类 可将存储器分为随机存取存储器、只读存储器两种形式 (1).随机存储器RAM(Random Access Memory) 又称读写存储器,指能够通过指令随机地、个别地对其中各个单元进行读/写操作的一类存储器。 按照存放信息原理的不同,随机存储器又可分为静态和动态两种。静态RAM是以双稳态元件作为基本的存储单元来保存信息的,因此,其保存的信息在不断电的情况下,是不会被破坏的;而动态RAM是靠电容的充、放电原理来存放信息的,由于保存在电容上的电荷,会随着时间而泄露,因而会使得这种器件中存放的信息丢失,必须定时进行刷新。 (2).只读存储器ROM (Read-Only Memory) 在微机系统的在线运行过程中,只能对其进行读操作,而不能进行写操作的一类存储器。ROM通常用来存放固定不变的程序、汉字字型库、字符及图形符号等。随着半导体技术的发展,只读存储器也出现了不同的种类,如可编程的只读存储器PROM(Programmable ROM),可擦除的可编程的只读存储器EPROM(Erasible Programmable ROM)和EEPROM(Electric Erasible Programmable ROM)以及掩膜型只读存储器MROM(Masked ROM)等,近年来发展起来的快擦型存储器(F1ash Memory) 3.按在微机系统中位置分类 分为主存储器(内存)、辅助存储器(外存)、缓冲存储器等,主存储器又称为系统的主存或者内存,位于系统主机的内部,CPU可以直接对其中的单元进行读/写操作;辅存存储器又称外存,位于系统主机的外部,CPU对其进行的存/取操作,必须通过内存才能进行;缓冲存储器位于主存与CPU之间,其存取速度非常快,但存储容量更小,可用来解决存取速度与存储容量之间的矛盾,提高整个系统的运行速度。 二、 存储器的系统结构 1.存储体 一个基本存储单元可以存放一位二进制信息,其内部具有两个稳定的且相互对立的状态,并能够在外部对其状态进行识别和改变。不同类型的基本存储单元,决定了由其所组成的存储器件的类型不同。 一个基本存储单元只能保存一位二进制信息,若要存放M×N个二进制信息,就需要用M×N个基本存储单元,它们按一定的规则排列起来,由这些基本存储单元所构成的阵列称为存储体或存储矩阵。 2.地址译码器 由于存储器系统是由许多存储单元构成的,每个存储单元一般存放8位二进制信息,为了加以区分,我们必须首先为这些存储单元编号,即分配给这些存储单元不同的地址。地址译码器的作用就是用来接受CPU送来的地址信号并对它进行译码,选择与此地址码相对应的存储单元,以便对该单元进行读/写操作。 3.数据缓冲器 暂存来自CPU写入数据或存储体的读出数据,与双向的数据线相连,要用到三态输出缓冲器。 4.控制逻辑电路 片选控制信号用以实现芯片的选择。对于一个芯片来讲,只有当片选信号有效时,才能对其进行读/写操作。而读/写控制电路则用来控制对芯片的读/写操作。 4.2 读写存储器RAM 一、 静态RAM 1.基本存储单元 静态RAM的基本存储单元是由两个增强型的NM0S反相器交叉耦合而成的触发器,每个基本的存储单元由六个MOS管构成。不需要刷新,外围电路简化;集成度较低、功耗较大等。 2.静态RAM存储器芯片Intel 2114 Intel 2114是一种1K×4的静态RAM存储器芯片,其最基本的存储单元就是如上所述的六管存储电路,其它的典型芯片有Ietel 6116/6264/62256等。 ? 存储矩阵:Intel2114内部共有4096个存储电路,排成64×64的短阵形式; ? 地址译码器:输入为10根线,采用两级译码方式,其中6根用于行译码,4根用于列译码; ? I/O控制电路:分为输入数据控制电路和列I/O电路,用于对信息的输入/输出进行缓冲和控制; ? 片选及读/写控制电路:用于实现对芯片的选择
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