21世纪电力电子技术的机遇与挑战.pdfVIP

一一一一一二竺巴竺全竺望竺鲤竺竺 21世纪电力电子技术的机遇与挑战 徐德鸿 (浙江大学，310027) N摘 耍:以环保、可持续发展、提高社会发展的竞争力为基石，展望了21世纪社会发展对电力电子技术的需求。 关傲词:电力电子 节能 环保 1 引 言 提下，有效地减少了MOSFET的导通电阻，这种 20世纪人类最伟大的20项科技成果:电气 MOSFET被称为Coo1MOS，如图I.t匕如600V耐压 化、汽车、飞机、自来水供水系统、电子技术、 的CoolmoS的通态电阻仅为普通MOSFET的1/5. 无线电与电视、农业机械化、计算机、电话、空 与其他器件相比，MOSFET没有二次击穿，可谓最 调与制冷、高速公路、航天、互联网、成像技术、 易使用的功率开关器件，它在低电压中、小功率 家电、保健科技、石化、激光与光纤、核能利用， 电源、固体开关等得到广泛地应用。 几乎不同程度地应用了电力电子技术，取得了辉 煌的成就。功率器件经历从结型控制器件，如晶 闸管、功率GTR.GTO，到场控器件，如功率MOSFET, IGBT,IGCT的发展历程。90年代出现了SMART 功率器件、智能功率模块IPM.TOPSWITCH等，努 力将一个或多个功率器件与其驱动、保护、电隔 离等电路集成在一个硅片或一个模块上，形成了 电力电子集成化的概念。大功率、高频化、低功 耗、驱动场控化为功率器件发展重要特征。电力 图ICoo1M05与普通MOSFET结构的比较 电子电路功率变换技术与电力电子器件同步发 展，除发明了众多功率变换的电路拓扑外，还创 IGBT综合了场控器件快速性优点和双极型 造如吸收、多重化、谐振开关、多电平等概念: 器件低通态压降的优点。IGBT的高压、大容量也 在控制技术方面出现了相控、PWM控制、以状态 是长期以来的研究目标。1985年人们认为 IGBT 空间平均法为代表的动态建模理论;在仿真手段 的极限耐压为 2kV，而目前己达到 6.5kV.IGBT 方面出现多种商用软件，如PSPICE,SABER. 器件的阻断电压上限不断刷新。日本用IGBT改造 SIMPLIS。电力电子技术已广泛地应用于工业、交 输入3.3kV的8MVAGTO变频装置，采用IGBT后 通、IT、通讯、国防以及家电等，己形成了全球 装置的体积减少了一半，效率从 96.5%提高到 600亿美圆电力电子产品市场，支撑着5700亿美 98.5%，节省电能16OkW.IGBT的阻断电压的提高. 圃的电器电子硬件产品。据美国国家电力科学研 使其能覆盖更大的功率应用领域。日本正在用 究院预测至2010年8096的电能将通过电力电子技 IGBT替代GTO改造原有电气化机车。IGBT正不断 术的处理。 的蚕食晶闸管.叱丁0的传统领地，在大功率应用 2功率器件的发展 场合极具渗透力。对于应用于市电的电力电子装 功率器件的发展是电力电子技术发展的基 置的低压IGBT器件，其主要性能提高目标是降低 础。功率MOSFET是目前最快速的功率器件，减少 通态压降和提高开关速度。下一代耐压600VIGBT 其通态电阻仍是今后功率MOSFET主要研究方向。 通态压降的目标是1V,耐压1200VIGBT通态压 长期以来没有太大的突破，直到 1998年法国 降的目标是1.5V。如何提高IGBT器件的可靠性 INFINEON公司提出了Super-junction的概念， 如采用压接工艺等也是今后的重要课题。 通过引入等效漂移区