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第14章 半导体器件 14.1.1 本征半导体 14.1.2 N型半导体和P型半导体 1. 本征半导体与杂质半导体 2. N型半导体（Negative负） 3. P型半导体（Positive 正) 14.2 PN结及其单向导电性 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 PN 结加反向电压 (反向偏置) PN 结加反向电压 (反向偏置) 14.3 二极管 14.3.1 基本结构 二极管的分类: 14.3.2 伏安特性 二极管电路分析举例 14.5.3 特性曲线 晶体管的特性曲线是表示一只晶体管各电极间电压与电流之间关系的曲线。是应用晶体管和分析放大电路的重要依据。 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是在IB为常数时，IC与UCE之间的关系曲线。在不同的IB下，可得到不同的曲线，即晶体管的输出特性曲线是一组曲线(见下图)。 通常将晶体管的输出特性曲线分为三个工作区： (3) 饱和区 例: 1. 电流放大系数 14.5.4 主要参数 2. 集-基极反向截止电流 ICBO 4. 集电极最大允许电流 ICM 稳压二极管 稳压管的主要参数： 1. 稳定电压UZ 指稳压管正常工作时的端电压。（其数值具有分散性） 2. 稳定电流IZ 正常工作的参考电流值。低于此值稳压效果差。在不超过额定功率的前提下，高于此值稳压效果好，即工作电流越大稳压效果越好。一般都规定有最大稳定电流 IZM。 UZ IZ U(V) 0.4 0 0.8 -8 -4 I (mA) 20 40 10 -20 -10 30 -12 反向 正向 3. 动态电阻rZ 稳压管端电压和通过其电流的变化量之比。稳压管的反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越小，稳压效果越好。 UZ IZ IZM ?IZ ?UZ 4. 最大允许耗散功率 PZM 保证稳压管不发生热击穿的最大功率损耗。 U(V) 0.4 0 0.8 -8 -4 I (mA) 20 40 10 -20 -10 30 -12 反向 正向 5. 电压温度系数 ?U 说明稳压值 UZ 受温度影响的参数。 如：稳压管2CW18的电压温度系数为0.095% / ?C 假如在20 ?C时的稳压值为11V，当温度升高到50 ?C时的稳压值将为 特别说明：稳压管的电压温度系数有正负之别。 因此选用6V左右的稳压管，具有较好的温度稳定性。 又称三极管，简称晶体管， 是最重要的一种半导体器件。 它的放大作用和开关作用被广泛应用于电子技术领域。 金属圆壳封装晶体管 14.5 双极型晶体管 塑料封装晶体管 大功率晶体管 常见晶体管的外形图 14.5.1 基本结构 晶体管最常见的结构有平面型和合金型两种。平面型都是硅管、合金型主要是锗管。它们都具有NPN或PNP的三层两结的结构，因而又有NPN和PNP两类晶体管。 其三层分别称为发射区、基区和集电区，并引出发射极(E)、基极(B)和集电极(C)三个电极。三层之间的两个PN结分别称为发射结和集电结。 N型硅 P型 N型 二氧化硅保护膜 C B E N型锗 铟球 铟球 P型 P型 C E B 平面型结构 合金型结构 N N P 发射结 集电结 发射区 集电区 基区 E B C N P P 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 E B C B E C B E C 14.5.2 电流分配和放大原理 如图，对NPN型晶体管加EB和EC两个电源，接成共发射极接法构成两个回路。 通过实验及测量结果，得： (1) (2) IC(或IE)比IB大得多，(如表中第三、四列数据) 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE(mA) 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB(mA) (4) 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置、集电结必须反向偏置——具有放大作用的外部条件。 这就是晶体管的电流放大作用，IB的微小变化可以引起IC的较大变化(第三列与第四列的电流增量比)。 (3) 当IB=0(基极开路)时， IC也很小(约为1微安以下)。 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE(mA) 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.