[2018年最新整理]半导体器件之pn结器件.pptVIP

* 温度效应对PN结二极管正、反向I－V特性的影响如下图所示。可见，温度升高，一方面二极管反向饱和电流增大，另一方面二极管的正向导通电压下降。 短二极管在前面的分析中，我们假设理想PN结二极管N型区和P型区的长度远大于少子的扩散长度。实际PN结中往往有一侧的长度小于扩散长度，如下图所示，N型区的长度WnLp，此时N型区中过剩少子空穴的稳态输运方程为： 其在x=xn处的边界条件仍然为： 而另一个边界条件则需要做适当的修正，通常我们假设在x=xn+Wn处为欧姆接触，即表面复合速度为无穷大，因此过剩载流子浓度为零。由此得到另一个边界条件为： 对于上述关于N型区中过剩少子空穴的稳态输运方程 来说，其解的形式仍然为： 再利用上述两个边界条件，可得稳态输运方程最终的解为： 对于WnLp的条件，我们还可以对上式做进一步的简化，因为此时有： 再利用上述两个边界条件，可得稳态输运方程最终的解为： 由上式可见此时短N型区中过剩少子空穴的浓度呈线性分布。N型区中少子空穴的扩散电流密度为 因此在短N型区中，少子空穴的扩散电流密度为： 由此可见，在短N型区中，少子空穴的扩散电流密度保持不变，即在短N型区中少子空穴的复合作用基本上可以忽略不计。 对于三种可能的N型区长度，下表总结了三种情况下的空穴电流密度表达式，与此类似，对于不同的P型区长度，同样可以给出三种情况下的电子电流密度表达式。 小节 势垒高度和载流子浓度的对应关系?偏压对空间电荷区边界处注入的非平衡载流子浓度的调制?理想pn结电流-电压关系 正偏状态的pn结，正偏电流的大小随正偏电压的增加而指数增加。反偏时趋于饱和 随着温度的升高，反偏饱和电流增大，相同正向电流下的偏压降低 利用温度特性可以制成对温度敏感的二极管，作为温度探测器件。但同时二极管的温度特性要求二极管要正确应用，避免形成温度正反馈导致烧毁 当pn结二极管的中性区长度远小于扩散长度时为短二极管，扩散区缩短，扩散区内的复合作用可以忽略。双极晶体管中的EB结通常就是一个短pn结 §8.2 PN结的小信号模型以上讨论的是PN结二极管的直流特性，在实际应用中更关心的是PN结二极管的小信号等效电路模型。 在直流电压上叠加一个小的低频的正弦电压，当正弦电压与电流无限小时，小信号增量电导为： 扩散电阻：二极管的电流可表示为： 其倒数定义为二极管在静态工作点附近的微分电阻，即： 如果二极管外加的正向偏置电压足够大，则电流方程中的(－1)项可以忽略，因此其微分电导为： 相应地其小信号的微分电阻为： 上述小信号微分电阻也称为二极管的扩散电阻。 我们已经介绍过了PN结电容随着反向偏置电压的变化，当PN处于正偏状态时，同样也会表现出一种电容效应。如图所示，一个PN结正偏在直流电压Vdc上，同时又叠加了一个正弦交流电压，因此总的正向偏置电压可以表示为： 可见偏置电压Va随时间而变化，因此注入的少子浓度也将随着时间而不断地发生变化。 扩散电容： 以空穴由P型区注入N型区为例，在t0、t1、t2三个时刻，N型区一侧空间电荷区边界处少子空穴的浓度分别如下图所示。由图中可见，空间电荷区边界处少子空穴的浓度也在直流稳态的基础上叠加了一个随时间变化的交流分量。 如前所述，空穴从耗尽区边界处开始将不断地向N型区中扩散，并在N型区中与多子电子相复合，假设交流电压信号的周期远大于过剩载流子往N型区中扩散所需的时间，因此空穴浓度在N型区中随空间位置的分布可以近似为一种稳态分布，如下图所示。 上页图中阴影区的面积则代表由于交流信号的周期性变化而引起的充放电电荷。对于电子由N型区注入到P型区中之后，过剩少子电子在P型区中的分布也表现出完全类似的情形。这种空穴分布在N型区中的起伏（充放电）过程以及电子分布在P型区中的起伏（充放电）过程将导致电容效应，该电容称为PN结的扩散电容，它与之前讨论过的反偏PN结耗尽区电容的物理机理完全不同，另外，正偏PN结的扩散电容通常要远远大于PN结的势垒电容。 小信号导纳: 利用双极输运方程，我们可以求得PN结二极管的小信号导纳为： 上式中Ip0和In0分别是二极管中空穴电流和电子电流分量，τp0和τn0分别是N型区中过剩少子空穴和P型区中过剩少子电子的寿命，上式还可进一步改写为： 称为PN结二极管的扩散电导，IDQ为二极管的直流偏置电流。而Cd则称为PN结二极管的扩散电容，即： 在正偏电流比较大的条件下，PN结二极管的扩散电容往往起主要作用，而扩散电阻则通常比较小。 PN结二极管的小信号等效电路模型可以根据其正偏条件下的小信号导纳公式得到： 由上式得出的等效电路如下图所示: 在此基础上，我们还需加上耗尽层电容的影响，该电容是与扩散电容和扩散电阻相并联的。另外，我们还必须考虑PN结两侧中