薄膜材料 第二章 薄膜的物理气相沉积.ppt

第二章 薄膜的物理气相沉积 （Ⅰ）－－－蒸发法 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）： 利用某种物理过程，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。 物理气相沉积法的特点： （1）使用固态的或者熔融态的物质作为源物质； （2）源物质通过物理过程进入气相； （3）需要相对较低的气体压力环境； （4）在气相中以及在衬底表面不发生化学反应； （5）低压环境中，其他气体分子对于气相分子的散射作用较小，气相分子的运动近似为一条直线，在衬底上的沉积几率接近100％等等。 物理气相沉积最基本的方法： 蒸发法和溅射法 这两种方法各有优缺点，为薄膜技术的发展作出了很大贡献，已经大量应用于各个技术领域，而且在各自的特点基础上还开发了许多介于这两种方法之间的新的薄膜沉积技术。 物理气相沉积过程（三个阶段） ①从源物质中发射出粒子； ②把粒子输运到基片（衬底）； ③粒子在基片（衬底）上凝结、成核、长大、成膜； 主要内容 一、 物质的真空蒸发（热蒸发） 二、薄膜沉积的厚度均匀性和纯度 三、真空蒸发装置 一、 物质的真空蒸发（热蒸发） 真空蒸发沉积装置如图2.1。 蒸发法的显著特点之一是其具有较高的背底真空度。 真空蒸发沉积的原理： 在真空环境下，给待蒸发物提供足够的热量以获得蒸发所必需的蒸气压，在适当的温度下，蒸发粒子在基片上凝结，实现真空蒸发薄膜沉积。 真空蒸发沉积过程： （1）蒸发源物质由凝聚相转变为气相； （2）在蒸发源与基片之间蒸发粒子的输运； （3）蒸发粒子到到基片后凝结、成核、长大、成膜。 （一）元素的蒸发速率 在一定的温度下，处于液态或固态的元素都具有一定的平衡蒸气压； 当环境中元素的分压降低到了其平衡蒸气压之下时，就会发生元素的净蒸发。 单位表面上元素的净蒸发速率： 由于元素的平衡蒸气压随温度的上升增加很快，因而，对蒸发速率影响最大的因素是蒸发源所处的温度。 （二）元素的平衡蒸气压 根据克劳修斯－克莱普朗方程，元素的平衡蒸气压 pe 随温度的变化 （三）化合物与合金的热蒸发 1. 化合物的热蒸发 在化合物的蒸发过程中，蒸发出来的物质蒸气可能具有完全不同于固态或液态化合物的化学成分。另外，气相的分子还可能发生一系列的化合与分解的过程，这一现象的一个直接后果是沉积后的薄膜成分可能偏离化合物原来的化学组成。 表2.1 化合物蒸发时的物理化学过程 2. 合金的热蒸发 近似视为是各元素相互独立的蒸发过程。 即使如此，合金在蒸发和沉积过程中也会产生成分的偏差。例如： 当AB二元合金的两组元A-B原子间的作用能与A-A或B-B原子间的作用能相等时，合金即是一种理想溶液。根据理想溶液的拉乌尔定律，组分B的平衡蒸气压pB 用活度aB代替上式的浓度xB ,则， 二、薄膜沉积的厚度均匀性和纯度 1. 薄膜沉积的方向性 在蒸发过程中，被蒸发原子的运动具有明显的方向性。并且，运动的方向性对沉积薄膜的均匀性以及其微观组织都会产生影响。 物质的蒸发源点蒸发源 和 面蒸发源 图2.3点蒸发源和面蒸发源示意图 点蒸发源是最容易进行数学描述的一种蒸发源。距离衬底较远，尺寸较小的蒸发源可以被认为是点蒸发源。 这时候，我们可以设想被蒸发的物质是由表面积为Ae 的小球面上均匀的发射出来的，如图2.3a 所示。 这时，蒸发出来的物质总量Me应为 在蒸发出来的物质总量中，只有那些运动方向处于衬底所在空间角内的蒸发原子才会落在衬底上。 即衬底上沉积的物质的质量密度为 同样，由此可以进一步求出物质的质量沉积速度和厚度沉积速度。 显然，薄膜的沉积速度将与距离r的平方成反比，并与衬底和蒸发源之间的方向夹角θ有关。 当θ＝0，r较小时，沉积速度较大。 图2.3b所示为面蒸发源，可以求出衬底面积元dAs上沉积的物质量为 与式2-12相比，影响薄膜沉积速度的参数中又增加了一个与蒸发源平面法线间的夹角Φ，如图2.3b所示。 2. 蒸发源对薄膜沉积的影响 （1）点蒸发源比面蒸发源的薄膜沉积均匀性好； （2）加大蒸发源到衬底表面的距离可以改善薄膜厚度的均匀性；但是，会降低薄膜的沉积速率以及增加被蒸发材料的损耗； （3）转动衬底的方法可以改善蒸发沉积薄膜的厚度均匀性。 3. 薄膜沉积过程的阴影效应 在利用蒸发法沉积薄膜时，当蒸发源与衬底之间存在某种障碍物的时候，蒸发来的物质将被障碍物阻挡而不能沉积到衬底上。即产生阴影效应。 阴影效应可能会破坏薄膜沉积的均匀性造成某些部位没有物质沉积，如图2.8 a所示。 利用阴影效应，使用特定形状的掩膜，实现薄膜的选择性沉积，如图2.8 b所示。 图2.8 沉积的阴影效应以及利用掩膜进行薄膜的选择性沉积 4. 蒸发法沉积薄膜的纯度 在蒸发沉积薄膜的情况下，薄膜的纯度将取决于： （1）蒸发源物质的