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自举电路 　　自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压. 　　举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电压，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。 　　自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。 　　常用自举电路（摘自fairchild，使用说明书AN-6076《供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的设计和使用准则》） 　　P 沟道高端栅极驱动器 　　直接式驱动器：适用于最大输入电压小于器件的栅- 源极击穿电压。 　　开放式收集器：方法简单，但是不适用于直接驱动高速电路中的MOSFET。 　　电平转换驱动器：适用于高速应用，能够与常见PWM 控制器无缝式工作。 　　N 沟道高端栅极驱动器 　　直接式驱动器：MOSFEF 最简单的高端应用，由PWM 控制器或以地为基准的驱动器直接驱动，但它必须满足下面两个条件： 　　VCCVgs,max and VdcVCC-Vgs,miller 　　浮动电源栅极驱动器:独立电源的成本影响是很显著的。光耦合器相对昂贵，而且带宽有限，对噪声敏感。 　　变压器耦合式驱动器:在不确定的周期内充分控制栅极，但在某种程度上，限制了开关性能。但是，这是可以改善的，只是电路更复杂了。 　　电荷泵驱动器:对于开关应用，导通时间往往很长。由于电压倍增电路的效率低，可能需要更多低电压级泵。 　　自举式驱动器:简单，廉价，也有局限；例如，占空比和导通时间都受到刷新自举电容的限制。需要电平转换，以及带来的相关问题。 很多工业用的电路，包括三相逆变功率模块里都是使用N沟道管子作为上桥开关器件的。这样可以保持6个开关元件高度的一致性，回避了P沟器件制造工艺不同的矛盾。但随之而来的问题是上桥驱动问题，要使上桥导通，必须在其栅极施加一个电压Vg?=?Vgs?+?Vs。管子导通时Vs几乎与直流母线电压Ud相等，所以Vg必须比直流母线电压还要高出Vgs。为实现此目的，需要引入自举电容。下图是一个典型的电路，图中电路只是完整逆变器的1/3。 ?(原文件名:Bootstrap.JPG)? 引用图片 首先强调此电路是工业BLDC用的，体积与重量都远远超出了飞行器允许的限度。在此提出并非要完全照搬，而是借鉴。 这里VM?=?24V，我是去年完成的这个系统，用在电控阀门上，电机是带霍尔的。C318是自举电容，它在上桥臂截止，下桥臂导通时通过D306充电。本相的下桥臂导通时充电最快，邻相下桥臂导通时由于只能把阴极拉至1/2母线电压而不是GND，因此充电会慢一些。开机之前为保证C318有初始电压，一般会执行一个简短的自举程序把三个下桥臂全部打开，然后再启动电机。 需要打开上桥臂时，为了把C318阳极的电压通过D307和R320施加到V306的栅极上，应使Q308导通，C318的正电荷通过R49、Q308、D307、R320流过V306的栅、源极回到C318阴极。Q321负责将TTL的控制电平与Q308所需要的控制电平进行匹配（否则TTL的“H”/“L”输出都会让Q308导通）。而在关断V306时，由于Q308截止、D307钳位，Q322的基极失去高电位，被R343拉低从而导通。快速泻放掉C320上的电荷，V306的栅源间寄生电容上的电荷也被泻放掉，保证V306的快速关断。场效应管电机驱动-MOS管H桥原理 时间:2010-09-16 ? 来源: ? 作者:Liang110034@126.com ? 点击：566 ? 字体大小:【大 中 小】 - ??? 所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS 管H 桥。??? 桥臂上的4 个场效应管相当于四个开关，P 型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N 型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。??? 正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂1 置高电平（U=VCC）、控制臂2 置低电平（U=0）时，Q1、Q4 关闭，Q2、Q3 导通，电机左端低电平，右端高电平，