Intel制程部分关键制造技术前瞻.docVIP

Intel/IBM 22/15nm制程部分关键制造技术前瞻 半导体特征尺寸正在向22/15nm的等级不断缩小，传统的平面型晶体管还能满足要求吗？有关这个问题，业界已经讨论了很久。现在，决定半导体制造技术发 展方向的历史拐点即将到来，尽管IBM和Intel两大阵营在发展方式上会有各自不同的风格和路线，但双方均已表态称在15nm级别制程启用全耗尽型晶体 管（FD:Fully Depleted）技术几乎已成定局，同时他们也都已经在认真考虑下一步要不要将垂直型晶体管(即立体结构晶体管)制造技术如三门晶体管，finFET等投入实用。 ? 据Intel的制程技术经理Mark Bohr表示，Intel对部分耗尽型（PD:Partliy Depleted）CMOS技术能否继续沿用到15nm制程节点感到“非常悲观”。但他同时表示，虽然只有SOI技术才可以在保留传统平面晶体管结构的条件下应用FD技术；但是体硅制程也并非无可救药，采用三门或者FinFET等立体晶体管结构技术，便可以在体硅或者SOI上满足关键尺寸进一步缩小的需求，一样也可以制造出FD MOSFET。 ? Gartner的分析师Dean Freeman则表示，目前半导体业界所面临的情况与1980年代非常类似，当时业界为了摆脱面临的发展瓶颈，开始逐步采用CMOS技术来制造内存和逻辑芯片，从而开创了半导体业界的新纪元。栅极宽度不断减小