智能功率模块在电动汽车中的应用-三菱电机.PDFVIP

智能功率模块在电动汽车中的应用-三菱电机.PDF

  1. 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
智能功率模块在电动汽车中的应用-三菱电机

44 卷 11 期 电力电子技术 Vol.44 No.11 20 10 年 11 月 Power Electronics November 2010 能功率模块在电动汽车中的应用 龚熙国1 徐延东2 渊1.三菱电机机电渊上海冤有限公司 上海 200336 曰 2.上海电驱动有限公司 上海 200240 冤 摘要 二十世纪八十年代末推出第 1 代智能功率模块渊IPM 冤 它集成了绝缘栅双极性晶体管渊IGBT 冤硅片及其驱 动和保护电路遥 至今 已开发出了5 代IPM 遥 此外介绍第5 代IPM 的最新技术遥 最新的IGBT 全栅型载流子存 储沟槽栅型双极性晶体管渊CSTBTTM 冤硅片技术可实现饱和压降与关断损耗的最佳折衷遥 最新的IPM 在维持关 断损耗Eoff 不变的情况下 显著降低 Vcesat 从 1.9 V 降至1.75 V 遥 新的集成技术也优化了 护功能 而且模块的 功率循环和热循环能力大大得到提高遥 测试结果证明 IPM 在电动汽车的应用中也能体现优异的性能遥 关键词 电动汽车曰 智能功率模块曰 绝缘栅双极性晶体管 中图分类号 TM46 文献标识码 A 文章编号 1000-100X 渊20 10冤11-0122-03 Intelligent Power Module for Electric Vehicle Applications GONG Xiguo1 XU Yandong2 渊1.Mits ubis hi Electric Electronics (Shanghai 冤 Co. Ltd Shanghai 200336 China 曰 2.Shanghai Edrive Co. Ltd Shanghai 200240 China 冤 Abstract In the late of 1980s Mitsubishi Electric introduced the concept of Intelligent Power Module and manufac鄄 tured the first generation IPM integrating dedicated driver and protection circuits with the IGBT in an appropriate packaging .Since that time Mitsubishi Electric has developed 5 generations of IPMs up to the present .This paper pre鄄 sents the latest technologies of 5th generation IPM.The latest IGBT chip technology full gate CSTBTTM can achieve the best trade鄄off relationship between saturation voltage and turn 鄄off power loss .The new series IPM offers significant im鄄 provement in Vcesat reducing to 1.75 V from more than 1.9 V for conventional ones by keeping the Eoff almost at the same level .New integrating technology is also applied to optimize t

文档评论(0)

sunshaoying + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档