氮铝共掺杂P型氧化锌透明导电薄膜之研制-建国科技大学.PDFVIP

International Conference on Safety Security Management and Engineering Technology 2010 (ICSSMET2010)Vol. 2 of 2 氮鋁共摻雜 P型氧化鋅透明導電薄膜之研製 黃勝斌 蔡欽州 建國科技大學電機工程系 E-mail: sbhwa@ctu.edu.tw 摘要 流。相較於ITO ，氧化鋅薄膜(ZnO)具有成本低、蘊藏 豐富、無毒、可低温成長及在 H電漿中比 ITO穏定等 2 本研究利用射頻磁控濺鍍法以 N2O 為氮源，採 優點，因此提高了 ZnO 薄膜在未來透明導電膜的地位 用氮-鋁共摻雜(co-doping of N and Al)的方式，在 與應用潛力。ZnO 薄膜屬於六方晶系結構(hexagonal N 型矽基板上沉積 P 型氧化鋅透明導電薄膜(NAZO)， structure)，直接能隙半導體（Eg ≒3.2eV ），並具有較 並探討不同 N2O 流量比(0%到 90%)對所成長薄膜結構 高的激子束縛能 (exciton binding energy, ZnO ≒60meV, 及光電特性的影響。實驗結果顯示薄膜的成長速率、 GaN ≒25meV) ，未摻雜的純氧化鋅薄膜，其電傳導主 X-射線繞射峰值強度及導電率等特性都會隨著 N2O 流 要是由化學計量比的偏差產生，由本體缺陷 (Native 量比的增加而增加然後下降。當 N 2O流量比在 40%時， defect)氧 空 缺 (Oxygen vacancies)及 鋅 間 隙 原 子 NAZO薄膜有較低電阻率約為 10.2-cm ，電洞濃度及 (Interstitial zinc)之淺層施體能階提供[2] 。 17 -3 2 -1 -1 移動率分別為 1.5x10 cm 及 3.7 cm V s ，且在可見 ZnO 薄膜製程技術有射頻濺鍍(R.F. magnetron 光波長範圍內，整體的薄膜穿透率大於 80%。 sputtering)[3,4] 、直流濺鍍(DC magnetron sputtering) 關鍵詞：氮-鋁共摻氧化鋅、N 2O、射頻磁控濺鍍 [5] 、離子噴塗法(Ion plating)[6] 、化學氣相沉積法 (CVD)[7] 、有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD ）[8] 、 Abstract