电子技术基第二版础答案.doc

电子技术基础 1.1 检验学习结果 1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？ 答：由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发半导体导电机理和导体的导电机理有区别？结构完全对称本征半导体。由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。这种说法正确吗？ 答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。 6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？说说PＮ结性何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？ 当正向电压时，外加电压的电场还不克服PN结的内电场的阻二极管呈现高阻，通过二极管的正向电流几乎为零基本上处于截止状态，这段区域通常称为死区。为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性？当环境温度升高时又会明显增大？ 把一个1.5V的干电池直接正向联接到二极管的两端，会出现什么问题？ .5V干电池串一个约1k(的电阻，并使二极管按正向接法与电阻相连接，使二极管正向导通。如果测量时直接把1.5V的干电池正向到二极管的两端，使中电流过大而损坏？半导体二极管？理想二极管电路如图所示。已知输入电压ui＝10sinωtV，试画出输出电压u的波形。答： （a）图：图中二极管若看作理想二极管，当输入正弦波电压低于－5V时，二极管D导通，输出电压uO=ui；当输入正弦波电压高于－5V时，二极管D截止，输出电压uO=－5V5V，波形如下图所示： 1.3 检验学习结果 1、利用稳压管或普通二极管的正向压降，是否也可以稳压？ 2、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 答：（1）将额定电压分别为6V和8V的两个稳压管串联相接：反向串联时稳压值为14V；正向串联时1.4V；一反一正串联时可获得6.7V、8.7V。 （2）将额定电压分别为6V和8V的两个稳压管并联相接：反向并联时稳压值为6V；正向并联时或一反一正并联时只能是0.7V。 3、在图1-20所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问图中开关S在什么位置时发光二极管才能发光？R的取值范围又是多少？ 答：图中开关S闭合时发光二极管可导通。导通发光时正向5mA电流下1.5÷5=0.3kΩ；正向15mA电流下1.5÷15=0.1kΩ。因此限流电阻R的取值范围：100Ω～300Ω。 1.4 检验学习结果 1、三极管的发射极和集电极是否可以互换使用？为什么？ 管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？ 使用管时，只要集电极电流超过ICM值；耗散功率超过PCM值；集—射极电压超过U（BR）CEO值，管就必然损坏。上述说法对？ 用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？ UBE＝0.7V，UCE＝0.3V； UBE＝0.7V，UCE＝4V； UBE＝0V，UCE＝4V； UBE＝－0.2V，UCE＝－0.3V； UBE＝0V，UCE＝－4V。NPN硅管，饱和区；②NPN硅管，放大区；③NPN硅管，截止区；④PNP锗管，放大区；⑤PNP锗管，截止区。 1.5 检验学习结果 1、双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称管为电流控制型器件MOS管为电压控制型器件？ IC受基极电流IBMOS管的输出电流ID受栅源间电压UGS当UGS为何值时，增强型沟道MOS管导通？ 当UGS=UT时，增强型N沟道MOS管开始导通，随着UGS的增加，沟道加宽，ID增大。UGD＝UGSUDSUT时，漏极电流ID几乎不变，同样表现出恒流特性。 3、在使用MOS管时，为什么其栅极不能悬空？ 因为单极型三极管的输入电阻很高，在外界电压的影响下，栅极容易产生相当高的感应电压，造成管子击穿，所以，MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。管和MOS管的输入电阻有何不同？的输入电阻rbe一般在几百欧～千欧左右，相对较；而MOS管绝缘层的输入电阻极高，认为栅极电流为零。N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2、三极管 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩