上海大学 材料科学 晶体中的缺陷 2.docVIP

第五节 位错的运动 　　运动是位错性质的一个重要方面，没有位错的运动，甚至会没有晶体的范性形变。并且位错运动的难易程度直接关系到晶体的强度。这一点可回顾一下位错概念引入时所讲的内容。　　位错的运动有两种基本形式：滑移和攀移。 一、滑移与晶体形变 位错的滑移是位错理论中很重要的一部分内容，也正是位错的滑移(逐步滑移)才得以解释本节开头就提出的有关临界切应力与理论值差别的现象。必须强调的是：位错滑移是在切应力作用下进行的，这种原子组态的运动完全不同于原子运动，如半原子面中的原子运动。位错运动到哪里，哪里就出现多余半原子面。在下面的例子中，给出了位错运动的微观图象参见图3-33。 图3-33 刃位错的运动 如图3-34所示：原子位错中心在C处。C处有一多余半原子面。不受应力时，位错处于平衡位置。各部分原子的位移如下(设原子坐标以滑移面下方为参考系)：　　(1)C处原子偏离原来平衡位置b/2。　　(2)1R，1L处原子偏离原来平衡位置b/3。　　(3)2R，2L处原子偏离原来平衡位置b/6。　　(4)3R，3L处于平衡位置。 图3-34 原子组态运动与多余半原子面运动的关系 以上是一种极简单的假设。现考虑，在切应力作用下，使滑移面上方位错周围的原子全部向右移动b/6，则各处原子的位置发生变化如下：　　C处：b/2 - b/6 = b/3。　　1L处：b/3 - b/6 = b/6。　　2L处：b/6 - b/6 = 0。　　1R处：b/3 + b/6 = b/2 (新的位错中心)。　　2R处：b/6 + b/6 = b/3。　　3R处：0 +b/6 = b/6。 在切应力作用下，滑移面上方每列原子只移动了b/6，位错就由原来的C处移到1R处，移动了一个原子距离b，多余半原子面也移动了一个原子距离。在实际晶体中，可能只需要移动b/1000，就可以实现多余半原子面的移动。在外力作用下，这个过程不断向右传递下去，直到位错滑移到晶体表面（或界面等），在晶体表面出现一个滑移台阶，这种滑移方式所需要的应力比晶体作整体运动所需的应力要小得多，这正是位错理论成功之处。这种滑移就称为逐步滑移。从滑移的情况看：对纯刃型位错而言，位错的滑移沿位错线的法线方向进行。滑移面同时包含柏矢量b和位错线。严格地说，位错线与其柏矢量组成的面叫滑移面。位错在滑移面上的运动叫滑移。对刃型位错，柏矢量与位错线垂直，同时包含柏矢量与位错线的面只能有一个。所以对刃型位错来说，只有惟一的滑移面。 螺型位错，柏矢量与位错线平行。从几何学上，同时包含柏矢量与位错线的平面有无穷多个。通过位错线的晶面也就包含了它的柏矢量，所以都可以成为它的滑移面，这种情况使得螺位错具有多个滑移面。螺位错在滑移运动时从一个滑移面到另一个滑移面上去的过程称为交滑移，这一点在晶体塑性变形一节中专门讨论。位错能在滑移面上运动，从运动学的角度容易理解，必须存在一个力来驱动位错的运动。即：外应力必须在滑移面上有分力才有可能使位错发生滑移。此力称为位错滑移的驱动力。驱动力不一定是外应力，也可能是其他应力场。如其他位错的应力场也可能成为滑移的驱动力。位错滑移要克服多种阻力，驱动力要达到一定大小，才能克服阻力，使位错滑移。最基本的阻力为点阵阻力。在周期性的结构中，位错从一个状态到另一个状态时，需要越过一个能垒，这就是一种阻力，这种阻力具有周期性，称为点阵阻力，又称派纳(派尔斯-纳巴罗)力。对此力的分析在后面的章节中进行。 二、位错的攀移 　　刃型位错在垂直于滑移面方向的运动称为攀移。刃位错的攀移相当于多余半原子面的伸长或缩短，因而需要原子的迁移，如图3-35。对于一个正刃型位错来说，当原子从多余的半原子面边缘跳入晶格间隙位置，作为间隙原子扩散开来，或者跳入晶体中扩散到附近的空位时，都能使位错向上攀移；反之若间隙原子扩散到位错线上，位错向下攀移。因为攀移需要原子的扩散，所以一般来说，在低温不大容易进行。 图3-35 位错的攀移运动 假设位错向上攀移一个原子间距，对应地，在晶体中产生一列空位；反之则产生一列间隙原子，从而引起体积的变化。所以，攀移运动外力需要做功，即攀移有阻力。粗略地分析，攀移阻力约为Gb/5。由此可见，攀移阻力很大，攀移相当困难的。螺型位错不止一个滑移面，它只能以滑移的方式运动，它是没有攀移运动的。 三、位错塞积 金属晶体在塑性变形时，往往发生这样的情况：即一个滑移面上有许多位错被迫堆积在某种障碍前，形成位错塞积群，叫位错群的塞积，如图3-36所示。这些位错来自同一位错源，具有相同的柏矢量。在塞积群中，每一个位错(除领先位错以外)在外应力τ及其位错的应力场联合作用下保持平衡。 图3-36 位错塞积示意图 从理论上分析位错塞积群的分布发现，对于刃型位错，塞积群在垂直于位错线方向的总