薄膜生长的动态电阻特性测量.PDFVIP

薄膜生长的动态电阻特性测量 本实验是学生接触薄膜物性和薄膜器件制造的开始，通过对薄膜电阻的动态监测，观 测薄膜形成的过程，探讨物理生长的机理。通过自己查阅参考资料和相关文献，深入了解 薄膜生长的基本理论和薄膜微观结构、薄膜材料的物理特性、薄膜器件加工工艺等知识。 【实验目的】 1. 学习直流溅射镀膜的方法，寻找最佳的镀膜工艺。 2. 掌握薄膜生长过程中的电阻动态监测方法，初步了解薄膜形成的机理。 3. 设计简单的薄膜器件制备方案和工艺。 【实验原理】 一、薄膜生长的机理简介 在薄膜沉积的过程中，到达基片的原子不仅与样品制备室中其它原子相互作用，同时 也与基片分子相互作用，形成有序或无序排列的薄膜。薄膜的形成过程和薄膜结构决定于 原子的种类、基片的种类及工艺条件。从薄膜的生长过程来看，可分为三类： 成核生长型——生成三维的核； 层生长型——单层生长； 层核生长型——前面两种形式的迭加。 1. 成核生长型：这种类型成膜的特点是，到达基片的原子首先凝结成核，后来的原子不断 聚集在核附近，使核沿着三维方向不断生长成为岛，进而这些岛相互连接成通道网络，最终 形成薄膜。大部分薄膜的形成过程都属于此种类型。电子显微镜和理论分析的结果表明，核 生长型薄膜的生长过程可分为四个阶段： （1） 成核阶段： 到达基片上的原子，一部分仍 有相当大能量的原子返回气相，另一 部分则被吸附在基片表面上，此时为物理吸附。由于原子 身还 有一定能量，同时还可以 从基片得到热能，因此原子有可能在基片表面进行迁移或扩散。在这一过程中，原子有可能 再蒸发，也可能与基片发生化学作用而形成化学吸附，还可能与其它的蒸发原子形成原子对 或原子团。发生后两种情况时，原子再蒸发或迁移的可能性极小，从而成为稳定的凝聚核。 （2 ） 小岛阶段：当凝聚的晶核达到一定的浓度后，新蒸发来的吸附原子不再形成新的晶 核，而是通过表面迁移聚集在已有的晶核上，晶核生长并形成小岛。这些小岛通常是三维结 构，且多数已 有该种物质的晶体结构，即已形成微晶粒。 （3 ） 网络阶段： 随着小岛的生长，相邻的小岛相互接触并彼此结合，形成一些 有沟 道的网络状薄膜。 （4 ） 成膜阶段： 继续蒸发时，吸附的原子将填充沟道，也有可能在沟道中形成新的小 岛，由小岛的生长来填充沟道，最后形成连续薄膜。 不同的物质在经历这四个阶段时，情况会有所不同。 2. 层生长型：这种类型的生长特点是，在基片表面以单原子的形式均匀地覆盖一层，然后 再生长第二层，第三层…。此生长方式多数发生在基片原子与蒸发原子间的结合能接近于蒸 发原子间的结合能的情况下。到达基片表面的原子，经过表面扩散并与其它原子碰撞后形成 二维的核，二维核捕捉周围的吸附原子生成二维小岛。由于小岛的半径均小于吸附原子的平 均扩散距离，到达小岛的原子扩散后都被小岛边缘捕获，小岛表面的原子浓度很低，不容易 向三维方向生长。也就是说，只有在第 N 层的小岛长到足 大（已接近完全形成）时，第 N+1 层的二维晶核或二维小岛才有可能形成，因此，薄膜是以层状的形式生长的。 3. 层核生长型： 在基片和薄膜原子相互作用特别强的情况下，容易出现层核生长型。在 基片表面先生长1-2 层单原子层，这种二维结构强烈地受基片晶格的影响，晶格常数有较大 的畸变。吸附原子在连续层上又以核生长的方式生成小岛，最终形成薄膜。在半导体表面上 形成金属薄膜时，通常是层核生长型。 薄膜的形成过程是由不连续薄膜到连续薄膜的转变过程，它包含了由气相到固相的急 剧转变过程，这一过程中产生的薄膜结构缺陷 （如晶体缺陷、晶格畸变、杂质等），对薄膜 的电学性质将产生极大影响，对金属薄膜而言，其厚度是对其电学性质起决定作用的重要 因素。当金属膜结构为岛状时，称为非连续薄膜。其导电机制多用热发射和场发射理论来 解释。随着薄膜继续生长为网络结构时 （网络结构膜），导电机制是由粒子、粒子构成的桥 和粒子间隙组成。逐渐成为连续膜且薄膜的厚度较小时，电阻率与薄膜厚度大致成反比的 关系，当厚度达到一定值时，薄膜的电阻率趋于定值。 【实验仪器】 改装的SBC-12 小型离子溅射仪；机械泵；数字电压表；数字电流表；直流电源；超 声波清洗器；氩气。 SBC-12 小型离子溅射仪的结构和使用方法见“实验8.1-1 金属薄膜的制备与工艺研 究”和仪器使用说明书，溅射制样室被设计得很小，抽真空的过程在短时间内即可完成。