衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响本原扫描探针.PDFVIP

下载本文档

0
0
约1.28万字
约 3页
2018-11-27 发布于天津
举报
版权申诉

衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响本原扫描探针.PDF

1、本文档共3页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响本原扫描探针

第7 期电子元件与材料 Vol.24 No.7 2005 年7 月 ELECTRONIC COMPONENTS MATERIALS Jul. 2005 研究与试制 R D 衬底温度对反应磁控溅射制备AlN 压电薄膜的影响王忠良，刘桥（贵州大学，贵州贵阳 550025）摘要: 采用反应磁控溅射法在 Si （111 ）衬底上沉积了AlN 薄膜。XRD 分析表明，在 5 种温度下，AlN 均以（100 ）面取向，衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善，在 600℃以上时 AlN 中Al—N0 键断裂，仅出现（100 ）衍射峰。 AFM 分析显示，在 600℃时平均晶粒尺寸 90 nm ，Z 轴最高突起仅为 23 nm 。关键词: 无机非金属材料；AlN 压电薄膜；反应磁控溅射；择优取向中图分类号: TM28 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2005 ）07-0047-03 n AlN Piezoelectric Thin Film Prepared by Reactive Magnetron c Reactive Sputtering . WANG Zhong-liang, LIU Qiao (Guizhou University, Guiyang 550025, China) m o Abstract: AlN thin films were successfully deposited on Si(111) substrates by reactive magnetron sputtering. XRD measurements detect AlN thin films with preferential orientations (100) at 5 different substrate temperature. The increase of c substrate temperature will improve crystallizability. The Al—N0 bond will break and only detect (100) peak when substrate . temperature is over 600 ℃. AFM observations of the films deposited at 600℃ reveal fine grains with size of 90 nm, topmost protuberance of 23 nm. m Key words: inorganic non-metallic materials; AlN piezoelectric thin film; reactive