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负载有立方相p-型半导体Cu18S颗粒的TiO2纳米带-无机材料学报
第27 卷 第 1 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 27 No. 1
2012 年1 月 Journal of Inorganic Materials Jan., 2012
文章编号: 1000-324X(2012)01-0038-07 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.00038
负载有立方相 p-型半导体 Cu1.8S 颗粒的 TiO2 纳米带
制备与表征
1 2 1 1
李 丽 , 雷静果 , 嵇天浩 , 张希鹏
(1. 北京工商大学 理学院, 北京 100048; 2. 洛阳理工学院 材料工程系, 洛阳 471023)
摘 要: 采用Cu O 自牺牲模板法, 以负载有立方相p-型半导体Cu O 颗粒的TiO 纳米带作为前驱物, 在水热条件下
2 2 2
与硫脲进行反应, 制得了负载有立方相 p-型半导体 Cu1.8S 颗粒的 TiO2 纳米带. 测试结果表明, 反应温度、反应时
间和硫脲浓度对Cu1.8S 纯度和形貌皆有影响. 若反应在较低温度(如120℃)进行, 即使反应时间达到25 h, 产物中除
了生成Cu S 还存在未反应Cu O; 若水热温度控制在160℃反应25 h, 当硫脲浓度为0.25 mol/L 时, 负载物基本上
1.8 2
是Cu1.8S 且分散较好, 当硫脲浓度升到0.5 mol/L 时, 负载物团聚严重. 对罗丹明B 的光催化降解活性测试结果表
明, 与纯TiO 纳米带相比, 在负载有Cu O 或Cu S 后光催化活性显著降低.
2 2 1.8
关 键 词: 复合材料; 立方相Cu1.8S; TiO2 纳米带; 光催化; p-n 异质结
中图分类号: TB381 文献标识码: A
Synthesis and Characterization of Cubic P-type Semiconductor Cu1.8S-deposited
TiO2 Nanobelts
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