传感器原理与应用 7.pdf

第7章 光电式传感器 光电式传感器是将光通量转换为电量的一种传感器。 光电式传感器的基础是光电转换元件的光电效应。 7.1光电效应 7.2光电元件及其特性 7.3光电式传感器的测量电路 7.4光电传感器及其应用 7.5光纤传感器 7.6 电荷耦合器件（CCD） 7.7光栅式传感器 7.8激光式传感器 本章要点 返回 下页 图库 7.1 光电效应 由光的粒子学说可知，光可以认为是由具有一定能量的粒 子所组成，而每个光子所具有的能量E与其频率大小成正比。 光照射在物体上就可看成是一连串的具有能量为E的粒子轰击 在物体上。所谓光电效应即是由于物体吸收了能量为E的光后 产生的电效应。 1887年由德国人赫兹发现。 应用：可制作位移，振动，转速传感器传感器。 分类： 7.1.1外光电效应 7.1.2 内光电效应 返回 上页 下页 图库 7.1.1外光电效应 在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面 向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的 电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件 有光电管、光电倍增管等。 光子是具有能量的粒子，每个光子的能量： E=hf h—普朗克常数，6.626 ×10-34J·s ；f —光的频率（s-1 ） 返回 上页 下页 图库 根据爱因斯坦假设，一个电子只能接受一个光子 的能量，所以要使一个电子从物体表面逸出，必 须使光子的能量大于该物体的表面逸出功，超过 部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应 多发生于金属和金属氧化物，从光开始照射至金 -9 属释放电子所需时间不超过10 s 。 根据能量守恒定理 1 2 E k m 0 h f  A 0 2 式中 m— 电子质量；v — 电子逸出速度。 0 该方程称为爱因斯坦光电效应方程。 光电子能否产生，取决于光电子的能量是否大于该物 体的表面电子逸出功A0 。不同的物质具有不同的逸出 功，即每一个物体都有一个对应的光频阈值，称为红限 频率或波长限。光线频率低于红限频率，光子能量不足 以使物体内的电子逸出，因而小于红限频率的入射光， 光强再大也不会产生光电子发射；反之，入射光频率高 于红限频率，即使光线微弱，也会有光电子射出。 当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强成 正比。即光强愈大，意味着入射光子数目越多，逸出的 电子数也就越多。 光电子逸出物体表面具有初始动能mv 2 /2 ，因此外光 0 电效应器件（如光电管）即使没有加阳极电压，也会有 光电子产生。为了使光电流为零，必须加负的截止电 压，而且截止电压与入射光的频率成正比。 7.1.2 内光电效应 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变 化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效 应，它多发生于半导体内。 根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导 效应和光生伏特效应两类。 返回 上页