高速MOS驱动电路设计和应用指引-世纪电源网.PDFVIP

高速MOS 驱动电路设计和应用指南 摘要 本篇论文的主要目的是来论证一种为高速开关应用而设计高性能栅极驱动 电路的系统研究方法。它是对“一站买齐”主题信息的收集，用来解决设计中最 常见的挑战。因此，各级的电力电子工程师对它都应该感兴趣。 对最流行电路解决方案和他们的性能进行了分析，这包括寄生部分的影响、 瞬态的和极限的工作情况。整篇文章开始于对MOSFET 技术和开关工作的概述， 随后进行简单的讨论然后再到复杂问题的分析。仔细描述了设计过程中关于接地 和高边栅极驱动电路、AC 耦合和变压器隔离的解决方案。其中一个章节专门来 解决同步整流器应用中栅极驱动对MOSFET 的要求。 另外，文章中还有一些一步一步的参数分析设计实例。 简介 MOSFET 是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 的首字母缩写， 它在电子工业高频、高效率开关应用中是一种重要的元件。或许人们会感到不可 思议，但是FET 是在 1930 年，大约比双极晶体管早20 年被发明出来。第一个 信号电平FET 晶体管制成于二十世纪60 年代末期，而功率MOSFET 是在二十 世纪 80 年代开始被运用的。如今,成千上万的MOSFET 晶体管集成在现代电子 元件,从微型的到“离散”功率晶体管。 本课题的研究重点是在各种开关模型功率转换应用中栅极驱动对功率 MOSFET 的要求。 场效应晶体管技术 双极晶体管和场效应晶体管有着相同的工作原理。从根本上说,，两种类型晶 体管均是电荷控制元件，即它们的输出电流和控制极半导体内的电荷量成比例。 当这些器件被用作开关时，两者必须和低阻抗源极的拉电流和灌电流分开，用以 为控制极电荷提供快速的注入和释放。从这点看，MOS-FET 在不断的开关，当 速度可以和双极晶体管相比拟时，它被驱动的将十分的‘激烈’。理论上讲，双 极晶体管和MOSFET 的开关速度是基本相同的，这取决与载流子穿过半导体所 需的时间。在功率器件的典型值为20 ~ 200 皮秒，但这个时间和器件的尺寸大小 有关。与双极结型晶体管相比，MOSFET 在数字技术应用和功率应用上的普及 和发展得益于它的两个优点。优点之一就是在高频率开关应用中MOSFET 使用 比较方便。MOSFET 更加容易被驱动，这是因为它的控制极和电流传导区是隔 离开的，因此不需要一个持续的电流来控制。一旦MOSFET 导通后，它的驱动 电流几乎为 0 。另外，在 MOSFET 中，控制电荷的积累和存留时间也大大的减 小了。这基本解决了设计中导通电压降（和多余的控制电荷成反比）和关断时间 之间的矛盾。因此，MOSFET 技术以其更加简单的、高效的驱动电路使它比晶 体管设备具有更大的经济效益。 此外，有必要突出强调下，尤其是在电源应用上，MOSFET 本身具有阻抗特 性。MOSFET 漏源端的电压降和流经半导体的电流成线性关系。这种线性关系, 以MOSFET 的RDS(on)表现出来，即导通阻抗。对于一个给定的栅源电压和温度 的器件，其导通阻抗是恒定的。和 p-n 结-2.2mV/ ℃的温度系数相反，MOSFET 有一个正的温度系数，约为0.7% /℃ 到1%/℃。MOSFET 的这一正温度系数使 得它成为在大功率电源应用的并联工作（由于使用一个器件是不实际或不可能 的）上的理想选择。由于MOSFET 较好的温度系数，并联的管子通常是均分电 流。电流的均分是自动实现的，这是因为它的温度系数作为一个缓慢的负反馈系 统。当电流较大时设备温度将会升高，但是不要忘记源漏极间的电压是不变的， 温度升高将会使源漏极间电阻变大，增大的电阻又会使电流减小，因此管子的温 度又会下降。最后，会达到一个动态平衡，并联的管子都通过相同的电流。在电 流分配中，源漏极导通电阻的初始值和有不同温度特性的结电阻在均分电流时将 会引起较大的误差，最高可达30% 。 器件类型 几乎所有的 MOSFET 制造厂商都有制造最佳管子的独特制造技术，但所有 这些在市场上的管子都可分为基本的三类，如图1 所示。 双扩散型晶体管在