[物理]2第一章：半导体物理基础2.ppt

（4） 杂质补偿半导体中载流子的浓度 考虑强电离及其以上的温度区间，此时：nD+＝ND； pA- =NA，则有： 对于杂质补偿半导体，如果nD+和pA-分别是离化施主和离化受主浓度，电中性条件为： 杂质补偿半导体的费米能级： 四 简并半导体的载流子浓度 1、N型半导体中如果施主浓度ND非常的高，EF 就会与导带底重合甚至进入导带，此时 E-EF kT 这个条件就不成立，必须用费米分布函数来计算导带的电子浓度，这种情况称为载流子的简并化，服从费米分布的半导体称为简并（Degenerate）半导体。 2、如何判断简并－－利用（Ec-EF ）的大小来判断： Degenerate Semiconductor Degenerate Semiconductor Local variation of potential by impurity 不同分布函数计算得到的关系曲线 n0/Nc的差别与（Ec-EF ）的值有关，因此用利用（Ec-EF ）的大小来判断简并与否。 * Physics of Semiconductor Devices * 一 导带电子浓度与价带空穴浓度二 本征载流子浓度与本征费米能级三 杂质半导体的载流子浓度四 简并半导体及其载流子浓度 1.3 半导体中的平衡与非平衡载流子 一 导带电子浓度与价带空穴浓度 (1) 状态密度g(E) 计算半导体中的导带电子浓度，必须要知道导带中dE 能量间隔内有多少量子态，因为这些量子态并没有全部被电子占据，因此还要知道能量为E 的量子态被电子占据的几率，将两者相乘后再除以体积，就可以得到 dE 区间的电子浓度，然后在由导带底至导带顶积分就可以得到导带的电子浓度。 设E→E+dE之间无限小的能量间隔内有dZ个量子态，定义单位能量间隔的量子态数为状态密度，即： 在k空间，以|k|为半径作一球面，它就是能量为E(k)的等能面，再作以|k+dk|为半径的球面，它是能量为E+dE的等能面。计算能量在E到E+dE之间的量子态数，只要计算这两个球壳之间的量子态数即可。 因为两个球壳之间的体积是4πk2dk，而空间中允许k值的密度是V，由于每个k值可容纳自旋方向相反的两个电子，则自旋空间电子的量子态密度是2V，因此，在能量在E到E+dE之间的量子态数为： 导带底附近E(k)与k的关系： 根据上式可得： 和 得到量子态数为： 因此，可以求得导带底能量E附近单位能量间隔的量子态数，即导带底附近的状态密度： 式中：m*n 表示导带底电子状态密度有效质量 同理，可得到价带顶附近状态密度： 式中： m*p 表示价带顶空穴状态密度有效质量。 (2) 费米分布和波耳兹曼分布 热平衡条件下，根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米分布。对于能量为E 的一个量子态被电子占据的几率为： f(E)称为费米分布函数，EF 是费米能级，k 是波耳兹曼常数，T 是热力学温度 1、E-EF=5kT 时（能量比费米能级高5kT ），电子占据的几率f(E)=0.7% ； 2、E-EF=-5kT 时（能量比费米能级低5kT ） ，电子占据的几率f(E)=99.3% ； 如果温度不高，E-EF = ±5kT 的范围就很小，则 EF是量子态被电子占据的分界线，高于EF 量子态基本是空的，低于EF 的量子态基本被电子占据。 电子 分析： 费米分布 f(T) 当：E-EFkT 时，上式变化为 两者的区别： 前者受到泡利不相容原理的制约。简单的说就是在同一原子中不能容纳运动状态完全相同的电子。 fB(E)就是电子的波耳兹曼分布函数 波耳兹曼分布 对于空穴，显然1-f(E)就能量为E 的量子态被空穴占据的几率，即有： 空穴的费米分布函数 空穴的波耳兹曼分布函数 相应的 E-EFkT 时，有： 空穴 半导体常见的是费米能级EF位于禁带之中，并且满足： Ec – EF kT 或 EF – Ev kT 的条件， 因此对于价带或导带中的所有量子态，电子和空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述。 由于分布几率随能量呈指数衰减，因此导带绝大部分电子分布在导带底附近，价带绝大部分空穴分布在价带顶附近，说明：起作用的载流子都在能带极值附近。 一个结论： 服从波耳兹曼统计规律的半导体称为 “非简并半导体” 服从费米统计分布规律的半导体称为 “简并半导体” 通常：把 (3) 非简并半导体的载流子浓度 导带底附近无限小的能量间隔E → E +dE区间有dZ(E)=gc(E)dE个量子态，而电子占据的几率是 f(E)，因此，对非简并半导体，在该能量区间内单位体积内的电子数也就是电子浓度为： 对上