固体物理学-第十章-固体的光吸收和光发射.pptVIP

10.9 固体发光的衰减机构和陷阱效应 发光物质在受激和发射这两个过程之间存在一系列 的中间过程，这些过程在很大程度上决定于发光物质 的内在结构，并集中地表现在发光的衰减特性上 研究发光衰减过程的规律，对掌握发光体的发光机 构有重要理论意义；衰减时间的长短在很大程度上决 定发光材料的实用意义 掌握衰减规律，对改善发光材料的性能，具有实际 意义 1.衰减机构及其规律 （1）同温度无关的指数衰减 由于激发作用，电子从发光中心的基态能级G跃迁到激发态能级A，如图示；然后，电子从激发态能级A直接回到基态能级G 时发射光子，这种过程 称为自发发光。 发光中心只有一种，考 虑撤销激发源之后发光 的衰减规律。 设在 t=0 时把激发光源撤销，在任意时刻 t≥0 时，处于激发态的电子数为 n(t)，在单位时间电子从激发态回到基态的几率为 ，因此，从激发态回到基态的速率为 （10-67） 设电子从激发态回到基态是发射一个光子，则单位时间内所发射出的光子数即光强 I(t) 正比于（ ），所以光强为 （10-68） 由(10-67)式得出 （10-69） 式中 n0=n(0)，表示在 t=0 时处于受激态的发光中心的数目。因而， （10-70） 式中 I0 表示 t=0 时的发光强度 。 因此，若衰减机构自发，则衰减规律是与温度无关的指数衰减。 （2）同温度有关的指数衰减 具有这种衰减机构的发光材料 亦只有一种发光中心， 如图 示，发光中心在受激后，电子 不能从激发态A直接跃迁到基 态G（禁戒的），而是先回到 M能级上，然后通过热激发从 亚稳态M跃迁到A能级后再回 到G，发射出光子 2.陷阱效应 光电导型发光体中的多数载流子一般是电子，因为少数载流子空穴一旦产生，几乎立刻就被发光中心（激活中心）所俘获。因此，对于发光衰减过程有显著影响的是电子陷阱。 这些陷阱能级由发光体内的晶格不完整性引起，是一些距离导带底能距小的对电子有俘获作用的能级。 陷阱能级上的电子到发光中心激发态的跃迁通常是禁戒的（由于空间距离大），所以落在这些陷阱能级上的电子必须重新被激发到导带，然后在扩散或迁移过程中遇到发光中心而复合发光。 在一定意义上，陷阱能级就是前述的亚稳态。因此，电子在陷阱能级上的存在时间τ和温度有关。 10 电致发光 半导体发光二极管 根据激励方式的不同，光发射通常有以下4种： （1）光致发光—由紫外光到近红外光这个范 围内的光束激发的发光（光泵发光） 日光灯就是一个典型的实例：水银蒸汽放电发出紫外光，紫外光激发管壁上的发光材料，与发光材料发生作用，发光材料发出可见光 （2）阴极射线致发光—电子束轰击发光材料 例如我们的电脑柱面显示器，电视机 （3）辐射致发光－由高能量射线 如γ射线或X射线激发某些物质发光 （4） 电致发光－发光材料在电场的作用下将电能直接转变为光能的一种发光现象 例如电子线路中的发光二极管，光盘驱动器中的半导体激光器 它有个显著特点就是可以将体积做得非常小，发光光子频率可以通过改变电场的强度加以控制 半导体发光二极管电致发光原理 原理：p-n 结的导带中电子与价带中的空穴相遇而复合发光。在热平衡时如图（a）所示，由于没有非平衡的载流子，从而没有发光现象。对 p-n结外加一正向偏压，如图（c），从外界向 p-n 结不断地注入载流子，维持非平衡载流子而实现复合发光，如图（b）所示。 二极管的 p-n 结在外加电场作用下多能发光，但对材料有要求： 可见光区半导体发光二极管，半导体的禁带宽度 Eg 应在 1.8～2.9 eV 之间 Ge 和 Si 可以制成优良的 p-n 结，但带隙在光谱的红外部分，而且是间接带隙材料，复