MOCVD生长AIGaInN外延层的光学性质研究.PDFVIP

Vo l. 24 , No.3 Vo1．24．No．3 红外与毫米波学报 第 24 卷第3 期 红外与毫米波学报 第24卷第3期 June ,2005 2005 年6 月 J. lnfrared Millim. Waves June，2005 2005年6月 J．Infrared Millim．Waves 文章编号:1 ∞1 -9014(2∞5)03 -0193 -05 文章编号：1001—9014(2005)03—0193—05 MOCVD 生长 AIGalnN 外延层的光学性质研究 MOCVD生长AIGaInN外延层的光学性质研究 江德生， 刘建平， 杨辉 江德生， 刘建平， 杨 辉 (中国科学院半导体研究所.北京 100083) (中国科学院半导体研究所，北京 100083) 摘要:对 AlI nGaN 四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究.根据 V 一形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的 摘要：对AllnGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究．根据V一形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的 分析.确定 AUnGaN 外延层中 V 一形缺陷的形成与锢的分凝之间的关系 同时.用波长为 325 纳米的短波长激光研 分析，确定AllnGaN外延层中V一形缺陷的形成与铟的分凝之间的关系．同时，用波长为325纳米的短波长激光研 究了 A\InGaN 外延薄层的拉曼散射，测量了合金铝组分改变引起的 A， (LO) 声子的频率移动，观测到了出射共振引 究了AllnGaN外延薄层的拉曼散射，测量了合金铝组分改变引起的A (LO)声子的频率移动，观测到了出射共振引 起的 LO 声子拉曼散射谱的共振加强，此共振过程的机制是一种类级联的电子一多声子互作用机制 起的LO声子拉曼散射谱的共振加强，此共振过程的机制是一种类级联的电子一多声子互作用机制． 关 键 词：氮化物；阴极荧光；拉曼散射 关键词:氮化物;阴极荧光:拉曼散射 中图分类号: 0472 + . 3 ; 0484. 5 文献标识码:A 中图分类号：O472+．3；0484．5 文献标识码：A INVESTIGATIoNS oN oPTICAL PRoPERTIES oF INVESTIGATIONS ON OPTICAL PROPERTIES OF AIGalnN EPILAYERS GROWN BY MOCVD AlGalnN EPILAYERS GROWN BY MoCVD JIANG De—Sheng， LIU Jian—Ping， YANG Hui JIANG De-Sheng , LlU Jian-Ping , YANG Hui ( Institute of Semìconductors , Chinese Academy of Sciences , Beijìng 仪泊83 ， Chìna) (Institute of Semiconductors，Chinese Academ