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NAND闪存控制器-英特尔FPGA和SoC
10. NAND闪存控制器
November 2012
cv_54010-1.2
cv_54010-1.2
®
硬核处理器系统 (HPS) 提供一个 NAND闪存控制器以与 Altera 片上系统 (SoC) FPGA 系
统中的外部 NAND 闪存存储器相连接。可以使用外部闪存存储器来存储一个处理器启动
镜像、软件 , 或用来存储大型应用程序和用户数据。HPS NAND 闪存控制器基于
® ®
Cadence Design IP NAND 闪存存储器控制器。
NAND 闪存控制器功能
NAND 闪存控制器具有以下功能:
■ 支持一个 x8 NAND 闪存器件
■ 支持开放 NAND闪存接口 (ONFI)1.0
■ 支持 Hynix、Samsung、Toshiba、Micron 和 ST Micro 的 NAND 闪存存储器
- - - -
■ 支持可编程的512字节(4 、8 或16 bit纠错)或1024字节(24 bit纠错)错误纠正编
码 (ECC)扇形容量
■ 支持流水线预读和写命令以实现增强的读 / 写吞吐量
■ 支持每块包含 32、64、128、256、384 或 512 页面的器件
■ 支持多平面器件
■ 支持 512 byte、2 kilobyte(KB)、4 KB或 8 KB 的页面容量
■ 支持可编程的纠正容量的单层单元 (SLC) 和多层单元 (MLC) 器件
■ 提供内部直接存储器访问 (DMA)
■ 提供可编程的访问时序
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