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Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究Ξ-西安电子科技大学
第28卷 第 1期 固体电子学研究与进展 V o l. 28,N o. 1
2008 年3 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE M ar. , 2008
宽禁带半导体
基 型 材料的欧姆接触机理及模型研究
N i n SiC
郭 辉 张义门 张玉明 吕红亮
( ) ( )
西安电子科技大学微电子学院, 西安, 7 1007 1 教育部宽禁带半导体材料重点实验室, 西安, 7 1007 1
收稿,收改稿
摘要: 研究了 基 型 材料的欧姆接触的形成机理, 认为合金化退火过程中形成的 空位( ) 而导致的高
N i n SiC C V c
载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图, 提出比接触电阻 由 和 两部
C C 1 C2
分构成。 是 硅化物与其下在合金化退火过程中形成的高载流子浓度层间的比接触电阻, 则由高载流子浓度
C 1 N i C2
层与原来 有源层之间载流子浓度差形成的势垒引入。该模型较好地解释了 型 欧姆接触的实验结果, 并从
SiC n SiC
衬底的掺杂水平、接触金属的选择、合金化退火的温度、时间、氛围等方面给出了工艺条件的改进建议。
关键词: 碳化硅; 欧姆接触; 退火; 碳空位
中图分类号: TN 405 文献标识码: A 文章编号:(2008) 0 104204
Invest iga t ion of the M echan ism an d M odel about N i Ba sed
O hm ic Con tacts to n - type SiC
GU O H u i
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