WinMOS应用指导-希格玛微电子.PDFVIP

北京希格玛和芯微电子技术有限公司 WinMOS 应用指导 WinMOS 应用指导 WinMOS 简介 WinMOS 系列产品是采用超结 (Super Junction) 结构 MOS 器件，是一种适合高电压 功率MOSFET 的革命性技术，SIGMA 是中国国内首家设计、并大规模生产此类产品的公司 2011 LED 之一。从 年底研发至今，已成功开发多款系列产品，产品覆盖电源、适配器、 驱动 WinMOS 电源和手机充电器等市场。 系列产品具有导通电阻非常低、耐高压、开关频率快、效 MOS WinMOS 率高、发热量低等特点。为了方便客户应用本文将分别从超结 技术简介、 产品 特点和目前产品的应用领域、WinMOS 应用注意事项和PCB 布局指南等几个方面做简要说 明。 超结MOS 技术简介 功率MOSFET 技术朝着提高超晶格密度以降低导通电阻的方向发展。传统VDMOS 击穿电压取决于漂移区掺杂度及自身厚度。电场分布的倾斜度与漂移层掺杂度成正比。因此， 需要较厚且轻掺杂的外延层来支持更高的击穿电压。但是随着掺杂层浓度的降低和厚度的增 加导通电阻会明显增加。传统VDMOS Rdson 和Vbr 之间的这种矛盾被称为“硅极限”。 这也是传统VDMOS 无法做到高Vbr 和低Rdson 同时存在的原因。 1 MOSFET MOSFET 图 、传统 、超结 的导通电阻与击穿电压之间的关系 超结MOS 理论的诞生为克服传统VDMOS 中的“硅限制”提供了方向。与传统 VDMOS 平面技术井状结构相比，超结MOS 技术中有较深 P 型柱状结构。详见下图对比： 2 MOSFET MOSFET 图 、传统 和超结 的断面比较 北京希格玛和芯微电子技术有限公司 WinMOS 应用指导 MOSFET MOSFET P N 超结 相比于传统 通过在器件体内植入高浓度 柱体来平衡 外延 P N 层，形成横向的耗尽区，即 柱体的深度决定了产品的耐压程度，无需额外降低 外延层 P N 的浓度，反之可通过调节 柱浓度来平衡并将 外延层的浓度提升到最高，以获得极低 导通电阻。 通过以上对超结MOS 结构的分析，我们可以知道超结MOS 结构在降低Rdson 的同时 也可以实现高 Vbr ，很好的改善了传统VDMOS 存在的“硅限制”。下面介绍一下采用超 结MOS 技术 WinMOS 产品的一些特点。 WinMOS 产品特点 WinMOS 产品具有如下特点： 产品特点 优势 劣势 Qg EMI 栅极电菏小（ ） 栅极电菏小，对电路驱动能 易引起 干扰 力要求低 易引起浪涌电流增