三维集成电路概述.PDFVIP

下载本文档

212
0
约3.26万字
约 10页
2018-02-28 发布于天津
举报
版权申诉

三维集成电路概述.PDF

1、本文档共10页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

三维集成电路概述

第章 1 三维集成电路概述。集成电路由一层半导体器件和多层互连线组成早期提高性能和扩展功能的重点都集 , ( ) 、 , 中在晶体管层面即通过减小特征尺寸 CriticalDimension实现更高的速度更低的功耗 [] 1 。 ( ) , 以及更高的集成度从年提出摩尔定律即集成电 1965 GordonMoore Moore’sLaw , 路的集成度以每个月翻一番的速度提高目前复杂微处理器已经集成了超过亿个晶 18 10 。 , 体管摩尔定律的发展是依赖光刻技术的不断进步和器件的特征尺寸不断减小而实现的即制造更小尺寸的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-OxideSemiconductorField- , ), , , EffectTransistorsMOSFET 提高单位面积的MOSFET数量减小 MOSFET的功耗提。 , 高工作速度除了光刻技术的进步集成电路特征尺寸的不断减小还依赖于新的制造工艺 , , 及新材料的不断引入如图所示从而维持了集成电路的集成度遵循着摩尔定律在不断 1-1 发展。图1-1 集成电路发展不同技术节点引入的新材料和新工艺 , , 从集成电路的发展历史来看每进入一个新的技术节点集成电路的集成度和性能都会 -6 , , 提高50%~60% 而目前每个晶体管的成本已经下降到了10 美元这一规律在 90nm技术。 , , 节点以前尤其明显然而随着集成电路技术的不断发展到45nm以后每一个技术节点却 , , 只能将集成电路的性能提高左右而相对于以后晶圆厂近亿美元的投资技 20%