氮化硅薄膜制备技术及其在太阳能电池中的应用精品.pptVIP

b、光致发光光谱(PL)作用介绍 PL光谱是一种探测材料电子结构的常用方法，其优点在于灵敏度高、数据采集简单、与样品无接触且不损坏样品。通过检测PL光谱的光谱结构和强度，可将其应用于带隙检测、杂质能级和缺陷检测、复合机制研究等。在本文的研究中，薄膜中缺陷态及完整性可通过PL光谱检测出来。 * c、氮化硅薄膜的制备及高温退火处理实验。 利用PECVD法制备氮化硅薄膜样品； 氮化硅薄膜制备完成后，将所得样品切割为七块，除一块作对比之外，其余六块均作高温退火处理，退火温度分别为350℃，500℃，650℃，800℃，950℃，1100℃。整个退火处理过程均是在N2 气氛下完成的，且所有样品均采用随炉升温和随炉降温的加热及冷却方式，并在所设定的最高温下保温10分钟。 * 采用型号为FP-6500、以氙灯作为激发源且发波长为325nm的荧光光谱仪（Fluorescence spectrometer）测量薄膜样品的光致发光光谱 （PL），测量范围为350nm-850nm。 下面是在不同退火温度处理下氮化硅薄膜样品的各PL光谱图 * 各退火温度下薄膜PL光谱图 * 各发光峰的峰值强度随退火温度的变化关系图 * d、实验结论 薄膜样品在退火温度小于800℃时，样品内存在的大量N、O等缺陷，影响了薄膜结构的稳定性；当退火温度高于800℃时，高退火温度下，薄膜结构的稳定性得到了提高。即发现高温热处理可以增强薄膜的稳定性并改善薄膜的表面情况。 * 4、总结 本文介绍了氮化硅薄膜的一些优秀性能、在各领域中的应用。氮化硅薄膜作为一种人工合成材料，有下列几种氮化硅薄膜的制备方法，等离子体增强化学气相沉积（ PECVD） 法、高温热化学气相沉积(HTCVD)法、常压化学气相沉积(APCVD) 法、离子束增强沉积（IBED）法等，文章中讲述了这些制备方法的制备过程和优缺点等。介绍了氮化硅在太阳能电池上主要有两种左右，一是减反射作用，另一个是钝化作用，讲述了两种作用的原理、材料选取和各种技术等。做了退火温度对氮化硅薄膜结构特性的影响实验，发现高温热处理可以增强薄膜的稳定性并改善薄膜的表面情况。 * 5、致谢 本论文是在姜礼华老师的悉心指导和殷切关怀下完成的，感谢姜老师提供了太阳能电池的研究平台。 感谢大学四年来辛苦教育我的李德莹老师、田毅红老师、刘杨老师等，你们端正的工作态度和平易近人的生活方式深深的感染了我。 感谢和我一起生活四年的室友，赵胜飞、江志华、周志行，一直以来他们对我照顾有加，包容我的缺点，陪伴我一起成长，给我留下了太多太多美好的回忆，让我印象深刻无法忘怀。 感谢所有帮助、关心过我的人。谢谢。 * 结 束 ！ * 氮化硅薄膜 ----制备技术及其在太阳能电池中的应用介绍  姓 名：张小龙 学 号：2011156112 指导教师：姜礼华 * 氮化硅薄膜是一种重要的精细陶瓷薄膜材料，它既是优良的高温结构材料，具有良好的抗冲击、抗氧化和高强度等特点；又是新型的功能材料，在许多方面已获得广泛应用。氮化硅薄膜具有很多优良的性能，如硬度高、抗腐蚀、耐高温、化学惰性与绝缘性好、光电性能优良等特点，所以被广泛的应用于微电子领域、微机械制造、光电子工业、太阳能电池、陶瓷切削加工工具、材料表面改性以及航天航空等领域。 氮化硅薄膜应用介绍 * 1、氮化硅薄膜制备技术介绍 本文主要介绍了下面几种氮化硅薄膜制备方法 a、等离子体化学气相沉积(PECVD)法； b、高温热化学气相沉积(HTCVD)法； c、常压热化学气相沉积（APCVD）法； d、低压热化学气相沉积（LPCVD）法； e、离子束增强体积（IBED）法。 * a、等离子体化学气相沉积(PECVD)法 * PECVD的介绍 PECVD: Plasma Enhance Chemical Va