以抬昇式汲极感应轻掺杂区之低温多晶矽薄膜电晶体设计.PDFVIP

行 精 類 行 年年 行 參理李 理逸 理 理 理劉 理李 論 理 利 年 年 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 ■ 成 果 報告 □期中進度報告 以抬昇式汲極感應輕摻雜區之低溫多晶矽薄膜電晶體設計 計畫類別 ：■個別型計畫 □整合型計畫 計畫編號 ：NSC 98-2221-E-035-079 執行期間 ：98 年 8月 1日至 99年 7月 31日 計畫主持人 ：簡鳳佐 (逢甲大學電子系 ) 共同主持人： 計畫參與人員 ：李天鈞(逢甲大學電子系 ) 、蔡逸賢(逢甲大學電子系 ) 洪瑞生(逢甲大學電子系 ) 、陳岳峰(逢甲大學電子系 ) 劉靄璇( 交通大學電子系 ) 、李重佑 ( 交通大學電子系 ) 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交 )：■精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 ■出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式 ：除產學合作研究計畫 、提升產業技術及人才培育研究計畫 、列 管計畫及下列情形者外 ，得立即公開查詢 ■涉及專利或其他智慧財產權，□一年■二年後可公開查詢 執行單位 ：逢甲大學電子系 1 目錄 報告內容 3 前言 5 研究目的 5 文獻探討 5 研究方法 6 結果與討論 7 參考文獻 8 計畫成果自評 2 報告內容 非常吸引人的技術。然而 ，由於汲極 端的高電場會導致強大的漏電流使元 I.Abstract 件產生不穩定性 ，因此阻礙了複晶矽 In this brie