以氧化铝薄膜保护纯铜之研究.PDFVIP

以氧化鋁薄膜保護純銅之研究 張明倫* 林新智陳敏璋 台灣大學材料科學與工程研究所 本實驗主要是以原子層沈積 (atomic layer deposition, ALD)技術在純銅表面成長奈米厚度 的氧化鋁薄膜 ，除了分析 薄膜成長特性及其基本性質外 ，並探討該薄膜 對純銅之氧化及腐蝕 行為的影響 。實驗結果顯示，ALD技術不但可精確地控制薄膜厚度外 ，所成長的薄膜也可 均 勻地覆蓋在純銅表面；此外，該奈米薄膜 具有非結晶性之組織，其化學組成與化學計量的氧 化鋁相近 。該氧化鋁薄膜可提供純銅優良的保護，除提昇純銅在200 °C、大氣環境中的 抗氧化 性 ，同時在室溫、1M的硝酸溶液中的 耐腐蝕能力亦被明顯改善 。 關鍵字 ：氧化鋁薄膜 、原子層沈積 、抗氧化性 、耐腐蝕性 1.前言 金屬底材的抗腐蝕性會因其表面的氧化鋁層 銅與其合金材料之使用最早可追溯到西 而大幅提昇 【6.7 】，而金屬表面的氧化鋁層 元前4000 千多年前。在進入工業時代後，因 也能降低 其的高溫氧化速率 【8】。然而上述 為銅是極佳的導熱、導電皆僅次於銀( )材料， 氧化鋁層的厚度都在微米 (μm) 以上，原因是 並具有適當的強度與良好的加工 、成型性可 所使用的製程技術，如蒸鍍(evaporation) 、化 製作出各種形狀的構件，因此廣泛地運用在 學氣相沈積(CVD) 、sol-gel 等所製做出的氧 供水 、電設施、食品、造紙等等產業。現今 化鋁層其厚度不均勻，內部也含有許多缺 半導體工業中，銅所扮演的角色也隨著製程 陷，環境中水氣或腐蝕性溶液可藉由這些缺 技術的進步愈發重要，在高階 IC中的金屬化 陷接觸到底材， 太薄的氧化鋁層會喪失 其原 內連線 (metallization interconnection)也已經 有的保護作用。因此，當需要 製作奈米(nm) 從鋁轉換成銅 【1】；而在金價高漲之際，IC 厚度的保護層時，這些製程技術製均不適用。 封裝時採用純銅打線 【2 】的比例也正 不斷地 近年來興起的原子層沈積(ALD)技術則 攀高。此外，純銅膜仁(mold)也可使用在 成為滿足該需求的最佳候選技術 ，因該技術 roll-to-roll 熱壓印(hot embossing)製程 【3】， 所 成長出的薄膜不僅緻密、厚度均勻，且無 藉此來生產高精密度的光學元件，故 銅在平 缺陷 【9】。文獻中的數據也顯示該技術用以 面顯示 (flat panel display, FPD) 等相關光學產 製做奈米厚度保護層的可行性，P.C. Wang 業的應用也正快速發展中。 等人【10】的研究顯示，在鎂 -鋰合金表面以 純銅雖然擁有上述眾多優點，但其並非 ALD 製做65nm氧化鋁薄膜可明顯改善該合 呈現出完全的化學惰性。例如 ，純銅可以抵 金在 3.5 wt%鹽水中的抗腐蝕性。 E. Langereis 抗非氧化性酸 (non-oxidizing acids)的腐蝕， 等人 【11】在高分子(PEN)表面上以ALD 成 但在濃硫酸或硝酸中卻有極高的腐蝕速率 長氧化鋁薄膜後，其水氣穿透率 (water vapor 【4 】，此外，純銅易於氧化，在表面生成的 transmission rate ，WVTR)的數據顯示 ，當氧 氧化層無保護性，即使在非高溫 (如250 °C) 化鋁厚度20nm時就足以阻擋濕氣的滲透， 環境中下，銅會持續地氧化進而造成其表面 這表示該薄膜可 具有防止底材氧化的能力。 形貌的改變 【5】，故 純銅需要被保護以延長 從文獻中可知 ALD 技術可在銅表面成 使用壽命。在金屬表面覆蓋一層陶瓷層是工 長氧化鋁薄膜【12 】，但相關的薄膜成長特性 業界常用的保護金屬底材的方式之一 ，而氧 及