使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极-液晶与显示.PDFVIP

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２４ ４ Ｖｏｌ．２４Ｎｏ．４ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００９ ８ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ａｕ．２００９ ｑ ｙ ｐ ｙ ｇ 文章编号： （ ） １００７２７８０２００９０４０５３３０４ 使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极 刘 翔，陈 旭，谢振宇，高浩然，王 威 　 　 　 （北京京东方光电科技有限公司，北京 ， ： ） １００１７６ Ｅｍａｉｌｓｋｅａ ｌｅ １２６．ｃｏｍ 　 ｙｐｐ ＠ 摘 要：金属电阻是影响大尺寸ＴＦＴＬＣＤ信号延迟的关键因素。研究了利用低电阻率金属 　 Ａｌ制作大尺寸 ＴＦＴ阵列信号线的生产工艺，发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量 会在后续工艺中对金属 造成腐蚀，严重地影响了产品的性能。通过优化刻蚀工艺，采 Ｃｌ Ａｌ ２ 用活性更高的 去除刻蚀有源半导体层时残留的少量 ，避免了金属 腐蚀的发生。 ＳＦ Ｃｌ Ａｌ ６ ２ 关 键 词：薄膜晶体管；铝；腐蚀；刻蚀 　 　 中图分类号： ＋ 文献标识码： ＴＮ３２１．５ Ｂ 　　　 热稳定好的金属材料，如 、 、 等，制作 ＭｏＴａＣｒ １ 引 言 　 　　 ＴＦＴ阵列的扫描电极和信号电极，但这些金属的 液晶显示器具有驱动电压低、功耗小、体积轻 电阻率都相对较高。在大尺寸的薄膜晶体管阵列 薄、无 射线辐射、无闪烁、清晰度高、易于实现 制造中，由于电极的长度大幅增加，高电阻率的金 Ｘ ［，］ １２ 大屏幕全色彩显示等优良的性能 ，近年来获 属已不能满足设计的需要。ＴＦＴＬＣＤ信号的延 得了飞速的发展。随着显示尺寸和分辨率的不断 迟主要由 决定，其中 为信号线的电阻， 犜＝犚犆 犚 提高，以 ａＳｉＴＦＴＬＣＤ面板制造而成的液晶电 犆为相关