全功能型半导体厂三维风险分析技术之研发-eTop-工程科技推展平台.PDFVIP

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行 精 類 行 年年 行 立林 易逸 參理 林 理 利 年 年 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 全功能型半導體廠三維風險分析技術之研發 Development of a Comprehensive 3D Risk Analysis Technique for Semiconductor Plant 計畫編號: NSC 95-2221-E-224 -038 - 執行期限: 95 年 08月 01日至 96 年 07月 31日 * 主持人:易逸波 國立雲林科技大學環境與安全衛生工程系 計畫參與人員:林聖祐、鍾清泓、陳虹吟、林心怡 中文摘要 also utilized FLACS simulation to study the 本研究係利用以計算流體力學為基礎之 effectiveness of the hazard mitigation equipment (e.g. pressure relief gate and water 3D 氣體爆炸與火災模擬軟體 FLACS 及 mist for explosion suppression) and further FDS ,針對八吋半導體廠房之磊晶製程進行火 discussed whether the hazardous range caused 災、爆炸與煙流動態模擬,以便評估此類模 by the fire and explosion can be reduced in 式分析應用在半導體廠房之可行性。藉由 order to diminish the hazard impingement on FLACS及 FDS 之 3D動態模擬來評估化學品 the equipment and personnel. On the other hand, 洩漏對於廠房及人員之可能危害程度。本研 this research utilized a self-developed 3D risk 究亦利用 FLACS模擬去探討危害消減設備如 analysis technique to assess the death probability of personnel in a fab building that 洩壓閘門及抑爆型灑水器之效果,進一步討 caused by the specific hazardous incident. It

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