[理学]第三章2探测器.ppt

3.2 光电导效应 光电效应——入射光子与物质中的电子相 互作用并产生载流子的效应。 外光电效应：向物质外部发射光电子 光电发射效应 内光电效应：只在物质内部产生光电子 光电导效应 光伏效应 半导体在外界条件有变化（如受光照、外电场作用、温度变化）时，载流子浓度要随之发生变化，此时系统的状态称为非热平衡态。载流子浓度对于热平衡状态时浓度的增量称为非平衡载流子。 杂质吸收 非平衡载流子 在光照过程中，产生光生载流子。自由载流子浓度比热平衡时的浓度大。 当光照停止，光致产生率为零，复合使非平衡载流子浓度逐渐减少，最后系统恢复热平衡状态。 载流子的扩散与漂移 漂移 半导体受到外电场作用时,电子向正电极方向运动,空穴向负电极方向运动。 电流密度： 电流密度： 对于N型半导体： 材料迁移率： 因此， （N型半导体） （P型半导体） 结论：电导率决定于其载流子密度和迁移率。 当扩散和漂移同时存在时，总的电子电流密度和空穴电流密度分别为： 总电流密度为： 一、光电导效应：光照变化引起半导体材料电导变化的现象。 当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 决定材料?的三个微观因素: 导电粒子的数目 导电粒子的荷电量 定向迁移率 稳态光电导 暗态下: Gd =σd ·A/L, ?????? Id= GdU=σd ·AU/L 亮态下: Gl =σl ·A/L, ????????? Il = GlU=σl ·AU/L 亮态与暗态之差 ????????????? Gp= Gl – Gd = (σl -σd）·A/L=Δσ·A/L ????????????? Ip=Il – Id = (Gl -Gd）·U=Δσ·AU/L A：半导体材料横截面面积； L：半导体材料长度 I：电流； U：外加电压 G：电导； σ：电导率 Δσ：光致电导率的变化量 下标d代表暗，l代表亮，p代表光。 在光照下,设单位时间内产生N个电子空穴对，则光生电子和空穴浓度： 二、响应时间 光电导器件在光照下，光生载流子随时间变化的规律为 在正弦型光照下， 一、结构与材料 组成：它由一块涂在绝缘基底上的光电导材料薄膜和两端接有两个引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内 。电极和光电导体之间呈欧姆接触。 常见光敏电阻 硫化镉（CdS）光敏电阻 可见光波段最灵敏的光电导器件 峰值波长0.52μm，掺铜和氯后向远红外区域延伸 时间常数与入射照度有关（100lx为几十ms) 用于自动控制灯光、自动调光调焦、自动照相机 硫化铅（PbS）光敏电阻 近红外波段灵敏1~3.5μm ， 在2μm附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此，常用于火灾的探测等领域。 特性与工作温度有关 响应时间太长（室温下为100～300μs） 锑化铟（InSb）光敏电阻 液氮温度（77K）时峰值波长（5μm)，刚好在大气窗口3～5μm范围内 响应时间为1μs 室温下长波极限可达7.5μm 碲镉汞（HgCdTe）光敏电阻 是目前所有探测器中性能最优良、最有前途的探测器 对8~14 ?m大气窗口波段的探测更为重要，峰值波长为10.6 ?m，可与CO2激光器的激光波长相匹配 是由HgTe和CdTe两种材料的晶体混合制造的，由于配制Cd组分（x量，一般为1.8~0.4）的不同，可得到不同的禁带宽度，从而制造出波长响应范围不同的Hg1-xCdxTe探测器，1~3 ?m 、3~5 ?m 、 8~14 ?m 是近红外、中红外探测器中性能最优良的探测器 碲锡铅（PbSnTe）光敏电阻 由于配制Sn的组分含量不同，禁带宽度也不同，峰值波长及长波限也随之改变，但它的禁带宽度变化范围不大 目前只能工作在8~10μm波段，由于探测率较低，应用不广泛 Pb0.83Sn0.17Te探测器，77K时，峰值波长与CO2激光器的10.6 ?m激光波长相吻合，长波限为11 ?m 锗掺杂探测器 其特点是响应时间较短（10-6~10-8S），要求工作温度低 工作在绝对温度2K时，其探测波长可达130 ?m，这是其它探测器所不能达到的 二、光敏电阻的基本特性 1. 光电特性 光敏电阻的光谱响应主要由光敏材料禁带宽度、杂质电离能