液晶材料与技术(二)——LCD工艺技术讨论—阵列2教学幻灯片.ppt

液晶材料与技术（12） ——LCD工艺技术2;;;;1、工艺原理;2、曝光工艺材料一一光刻胶 ;;TFT-LCD设计及制作;;3、光刻胶涂布工程;液晶材料与技术;;;;;;;;;4、曝光装置 ;;;;;;;;;;;;;;;5、显影 ( development);;（1）喷淋显影 按喷嘴动作分喷嘴摇摆和喷嘴整体水平摇动型。;;;;刻蚀;1、湿法刻蚀原理 ;2、湿刻工艺;3、湿刻过程;4、湿刻方式;;;高速刻蚀对线宽的控制性较好， 低速刻蚀对形状的控制性较好。;;（1）栅极形状控制 由于栅极层位于整个TFT基板图形的最下层，刻蚀形状的好坏对以后各层膜的生长及图形的形成都有很大影响，因此对于栅极层来说，形状控制是首要的，要求形成顺梯形的形状。若一旦出现逆梯形， 则在后面成膜时在梯形处容易发生断裂其中最可能发生的是D断线。;（2）栅极线宽控制 金属电极的刻蚀，要求电极宽度控制良好，保证电极边缘刻蚀量有良好的一致性。 如果基板上各处的边刻蚀量有很大差别，导致基板各处的栅源电极间电容Cgs(栅极电极与源极电极间电容量)容量大小不一，则会造成 产品显示不良，产生闪烁等现象。 ;;（3）源漏极湿刻 源漏电极的工艺性能要求线宽控制的优先级高于形状控制。 线宽控制 ：源漏电极被刻蚀的量大，则沟道的宽长比W/L越小;源漏电极被刻蚀的量小，则沟道的宽长比W/L越大。 ;;（3）像素电极湿刻 在许多TFT的设计中，都把像素电极膜放在阵列基板的最上层，这样对电极形状的要求比较低，但是对线宽控制的要求比较高，因此在两刻蚀槽中均采用速度较快、对线宽控制较好的喷淋方式进行湿刻，在工艺性能上对ITO 残渣与线宽控制要求比较严格。 ;像素电极刻蚀残余 若刻蚀量不足，且存在ITO膜的结晶不均匀时，易产生刻蚀残余，导致点缺陷和短路，还会造成端子部的短路。 ;像素电极刻蚀线宽控制 若像素电极边缘刻蚀量(边刻蚀)过大，则可能会造成ITO与接触孔的错位而引起点缺陷，或引起遮光区域外的液晶分子控制不良，导致漏光。;干法刻蚀;干刻的方式有 等离子刻蚀 (plasma etching， PE)， 反应性离子刻蚀(reactive ion etching， RIE) 传导耦合等离子刻蚀(inductive couple plasma etching， ICP）等;TFT-LCD设计及制作;;;;刻蚀气体???选择 干刻工艺针对不同的膜，选择的刻蚀气体是不同的。;;;;;干刻设备;不同的干刻对象需要采用不同的干刻设备和干刻材料。;;光刻胶剥离与退火;;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;;;;退火 ;;