第10章--其它形态的硅材料文档.pptVIP

分拣 依据硅料的外观、P/N型、电阻率进行分选。 1.外观：纯品、氧化、刻字、粘石英、粘杂质 2.P/N型：表征B，P含量的值 3.电阻率：因产品的需要而进行区分 * 清洗 目的是去除原料硅表面的一些杂质 方法包括：喷砂，打磨，酸洗，清洗 喷砂，打磨属物理方法：去除大面积，量大的杂质 酸洗：用硝酸和氢氟酸腐蚀清洗 清洗：用弱酸，碱，纯水对表面粉尘等进行清洗。 除去有机物：丙酮：无水乙醇：超纯水=1:1:3-5（室温，5-10min,超声） SC-1清洗液（碱性：APM）：氨水：双氧水：超纯水=1:1:5（工作温度70℃-80℃，超声5min，去除无机杂质） SC-2清洗液（酸性：HPM）：盐酸：双氧水：超纯水=1:1:6（工作温度70℃-80℃，超声5min,去除金属杂质） 氢终止（去除表面氧化层）：HF：H2O=1:3-5（HF不挥发就可以） * 配料 对象：清洗、酸洗干净的硅料及纯硅料 检测：对来料进行P/N型和电阻率的检测 配料方法：通过来料的P/N型和电阻率及其重量来决定其它纯料及物料的添加量，同时考虑其体积。 目的：按产品的电阻率来配料 （电阻率基本一致，导电类型相同） * 装料 此过程涉及到坩埚的准备： 外来坩埚要进行外观检测：裂纹，气孔等 对坩埚进行氮化硅喷涂，保证硅不和坩埚接触。因为硅和二氧化硅会反应生成一氧化硅。 烘烤：氮化硅和纯水喷涂在坩埚上，烘烤后能增加强度和粘结在坩埚上 * 配好的料，分别装入坩埚中，注意掺杂 (掺杂剂为鳞，或硼的硅合金或氧化物，7N以上纯度）（关于掺杂选硼，还是选镓呢？硼氧对和分凝系数的权衡） * 铸锭 铸锭：是将料在高温下进行熔化，并通过底部 散而实现定向长晶 * DSS炉：定向长晶炉 美国GT Solar公司。DSS-270，和DSS-450 （270，450表示最大铸锭重量（Kg）,炉体结构基本相同) 操作界面 （触屏） * 多晶硅铸锭炉的内部结构示意图（DDL-450型） * 铸锭炉内部基本结构 如果对隔热笼装置（隔热笼）进行适当改造，增加一级隔热条，把石英坩埚底部的热场控制分为2个部分，坩埚底部铺单晶硅籽晶片（40-50mm厚，156*156mm,25片（5*5铺设），保持籽晶部分熔化，就可以在铸锭炉中生长准单晶硅锭。籽晶晶向一般是[100] * 铸造多晶硅片和铸造单晶硅片优缺点比较(课堂讨论） 项目 铸造多晶硅 铸造单晶硅 直拉单晶硅 市场份额 多（80%以上?） 刚兴起（有前景） 单晶硅片以直拉单晶硅片为主 优点 物料处理量大，成本低 物料处理量大，成本相对直拉单晶硅要低（需要籽晶，但可以重复使用2-3次，部分熔化） 成本高，工艺复杂，成本高（去头尾料，边皮） 原料要求 5-7N 5-7N 纯度要求更高 氧杂质浓度 低（石英坩埚+氮化硅涂层） 低（石英坩埚+氮化硅涂层） 高（石英坩埚+高纯石英涂层） 光转化效应 相对低（15%-17%） 比铸造多晶硅高1个百分点左右，比CZ单晶硅低0.5%左右？ 比铸造多晶硅高1-2个百分点（但光致衰减[O]高，圆弧形（有效面积） 制绒工艺 酸性腐蚀，减反射效果差 碱性腐蚀，减反射效果好 碱性腐蚀，减反射效果好 切片工艺 金属多线锯，碳化硅砂浆 金刚石线锯，冷却液（水溶性冷却液） 金刚石线锯，冷却液（水溶性冷却液） 缺陷浓度 高（酸制绒效很差） 低 更低 …（硅片厚度？锯屑利用？） …… …… …… * 20世纪70年代，就提出过利用籽晶辅助，在铸造炉中定向凝固得到单晶的概念，2008年BPSolar公司开始商业化，2009年我国晶澳公司首次研究成功，并开始商业化生产。在光伏产业界已经引起高度重视，在传统的多晶硅铸造炉中，适当改变隔热笼，就可以实现铸造单晶硅的生产。（隔热笼中增加一级隔热条，工艺过程，尚未见公开报道？） * 注意：①铸造单晶硅，如果是5*5的籽晶分布，只有中间9片区域为单晶，周边（和坩埚壁相联系的16片区域）是多晶区（边缘，由于坩埚壁表面的影响，容易形成多晶），②多晶区的质量比普通多晶硅的质量要低，杂质浓度要高，转换效率要低。③从面积来看，单晶区占硅锭面积的60%-70%，多晶区占30%-40%，所以称为”准单晶硅“，④因单晶区在冷却过程中受到的热应力作用，依然存在大量的位错缺陷，其电池效率还是比直拉单晶硅片低0.5%左右。⑤铸造单晶硅的大规模应用，还需要进一步提高技术，降低成本。 * 高效多晶硅片（ 铸造多晶硅工艺改进） 铸造多晶硅在晶体凝固后的冷却过程中，由于从硅锭的边缘到中心，从头部到尾部，散热的不均匀会导致硅锭中热应力的产生。而且，硅锭和石英坩埚的热膨胀系数不同，在