大气电浆电浆表面处处理工艺艺.pdf

@Cl ick AP  Plasmma  Documentt  大氣電電漿漿表面處處理 工藝藝 大氣電電漿技術與傳傳統真空電漿漿同樣具有高高能粒子 ，卻無真空電漿卻 漿所需的密閉閉式反應腔體體及真空抽 氣系統 ，在在近幾年受到到許多人的矚矚目 。所為大大氣電漿 ，亦即在常溫溫常壓的環境境中即能實施施操作 ，可 大幅降低生生產成本和加加速生產效率率 。工業技術術上的表面處處理技術 ，主要是提升工主 工件表面之親親水性 ，或 異質物接合合的黏著強度度 。目前常用用的方式包含含 ：化學藥 劑蝕刻 、火焰處理法火 、、臭氧法及真真空電漿處 理等 。但 ，，上述技術通通常具有環保保考量 、高成高成本 ，與生生產效率緩慢慢等缺點 。而而大氣壓電漿漿技術的崛 起 ，在許多多的領域造成成革命性的震震撼 ，傳統需需真空或 濕式製程才能濕 能達到的目的的 ，在常溫常常壓的條件 下 ，即 有新新的解決方法法 。 電漿技術簡簡 介 電漿 （Plasma ）乃一群部分分離子化之之氣體 （Partiallyy Ionized Gaas ），其內部部組成包括帶帶電荷 自由基 之電子 、離離子 ，不帶電電的中性氣體體原子 （或分分子） 臭氧 與自由基 （（Radicals ）等物種 。 負離子 UV 光子 若以操操作壓力範圍圍來進行區分分 ，又可分為為高溫 正離子 電漿及低溫溫電漿 。亦即即 ，當操作壓壓力大於 5000 電子、 Torr時 ，其其產生的電漿漿因內部電子子、離子和中中性原子 （或分分子的碰撞） 撞效應極為頻頻繁 故電子， 子溫度（Te ） 與氣體溫度度 （Tg ）趨近近於一致 ；此時中性原子此 子 （或分子 ）溫度可高達達幾萬或幾十十萬K ，稱之為高溫電稱 電 漿 （Thermmal Plasma ））。而當操作作壓力小於 550 Torr ，因平平均自由路徑徑相較為大 ，此時電子子因被外加電電 場加速而獲獲得能量 。由由下列公式推推算即可發現現 ：   E  mV 22  kT  （k, Boltzmaann constannt ）  （1 ） 2 2 在較低低之操作壓力力下時 ，離子子溫度 （Ti ）遠比電子溫溫度低 ，且中性性原子或分子子因無法被電電場加速 ， 加上受電子子或離子的碰碰撞頻率頗頗低 ，因此其其整體溫度接近室溫 ，稱之為低溫溫電漿 （Noon-Thermall Plasma ）。 電漿的的生成主要靠靠由電漿內部部物種的連續續碰撞反應 ，亦即靠著電電子在電場中加中加速獲得極極高的動能 ， 以碰撞進行行能量傳遞 解離氣體分， 分子 。就原子子而言 ，當傳遞遞的能量累積積至足夠造成成原子內電子子的遷移 ， 即產生一離離子與二次電電子 （此電子子又將受電場場加速而重覆覆上述反應 ）。而電子動動能與電場間間可由電場對對 電子作功之之累積表示 ，，即電子動能能相當於電場場作用力與距距離之乘積 ，亦即電子所所獲得的能能量相當於粒粒 子帶電量 、、