多指状静电N型金氧半元件中电流不均匀分布之分析探讨.PDFVIP

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2018-03-02 发布于天津
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多指状静电N型金氧半元件中电流不均匀分布之分析探讨.PDF

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多指状静电N型金氧半元件中电流不均匀分布之分析探讨

行狀金流不精類行年年行參理理年行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告 ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ ※ 多指狀靜電N型氧半元件中電流不均勻分佈之分析探討 ※ ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ 計畫類別： 個別型計畫 □整合型計畫計畫編號： NSC95-2221-E-231-037 執行期間：95 年8月 1日至 96 年7月 31日計畫主持人：黃至堯計畫參與人員：張朝偉、宋柏寬、陳國科執行單位：清雲科技大學電子工程系所中華民國 96 年8月 31日多指狀靜電N型氧半元件中電流不均勻分佈之分析探討 Analysis and Investigation of Current Nonuniformity in a Multi-Finger ESD NMOS Device 計畫編號： NSC95-2221-E-231-037 執行期間：95 年8月 1日至 96 年7月 31日主持人：黃至堯清雲科技大學電子工程系所一、中文摘要 on to conduct ESD current, and the peripheral part still shuts off without ESD current 靜電放電現象發生在 N型靜電金氧半 conduction. The ESD threshold level of a large 場效電晶體上的行為，是相當不均勻的三維 width device is not proportional to its width 空間分佈效應。典型的金氧半電晶體佈局樣 dimension. Thus, how to balance uniform ESD 態為多指狀並聯結構，由於各部位基座位置 current distribution becomes the essential 距離接地點長度不一，個別區域的基座電阻 mission in ESD protection design. This project 值可能差異很大，靜電電流負荷在金氧半電 is intended to investigate the above 晶體通道寬度上的分佈是相當不均勻的，其 channel-width-dependent ESD current non- 寄