扫描力显微术在奈米尺度电性上的量测与应用曾贤德果.PDFVIP

量測資訊第 93 期，24-30 頁 (2003 年 9 月) 掃描力顯微術在奈米尺度電性上的量測與應用 曾賢德、果尚志 國立清華大學物理系 一、前言： 近年來由於半導體製程技術不斷進步，使得元件尺寸已縮小到次微米級甚 至奈米等級，與此同時，奈米尺度的量測工具也日趨重要且多樣化。其中，掃描 探針顯微術(Scanning Probe Microscopy, SPM)的量測範圍一般可從原子等級到數 百微米，可測量的物理量包羅萬象，並且擁有操控與改變表面狀態的能力，因此 成為諸多工具中，發展最為迅速且應用廣泛的方法之一。SPM 的種類繁多，一 般常見的是掃描穿隧顯微術(Scanning Tunneling Microscopy，STM)與掃描力顯微術 (Scanning Force Microscopy，SFM)兩大類。此外，還有掃描式近場光學顯微鏡 (Scanning Near-field Optical Microscope，SNOM)與掃描電容顯微鏡(Scanning Capacitance Microscopy， SCM)等等。 SPM 中最早發明的 STM[1]是藉由導電探針與樣品間的穿隧電流來偵測表面 特性，其優點是具有極佳的空間解析度，能夠清楚量測到表面單一原子之電子能 態，因此對表面物理研究相當重要。STM 的缺點是其對樣品與操作環境的要求 較為嚴苛，僅能測量具有相當導電性的表面，且一般得在超高真空下操作以保持 樣品表面的潔淨，因此在應用上較受限制。相對於 STM，SFM 是利用探針與表 面間的作用力來量測表面特性，因此樣品可不導電，對操作環境的要求也較少， 可在一般大氣環境下甚至在液體中操作。此外，藉由使用適當的探針或方法，即 可量測出各種不同的作用力形式，並獲得表面諸多特性。這些優點使得 SFM 在 發展上比 STM 靈活且應用範圍甚廣，但另一方面，由於 SFM 的探針尖端尺寸與 量測之作用力範圍常遠大於原子尺度，因此在空間解析度上比 STM 差。 SFM 是許多掃描力顯微鏡的統稱，其中最常見也最早出現的是原子力顯微 鏡[2](Atomic Force Microscope，AFM)，其量測的作用力是探針與表面間的凡得瓦 爾力。在實際操作時，通常是保持此一作用力的大小，使探針與表面的間距固定， 如此在掃描時探針的高度即隨著表面的高低起伏而變化，換言之，藉由量測探針 的高度變化，即可得到表面的形貌(topography)。其他常見的掃描力顯微鏡，像是 磁力顯微鏡(Magnetic Force Microscope，MFM)、摩擦力顯微鏡 (Friction Force Microscope，FFM)、靜電力顯微鏡(Electrostatic Force Microscope，EFM)、壓電反應 力顯微鏡(Piezoelectric Force Microscope，PFM)等等，雖然所量測的作用力都不相 同，但卻都架構在 AFM 的基礎上，因此很容易整合在一起，成為奈米級表面特 性分析的利器。 本篇文章主要將介紹如何利用 SFM 量測表面電性，包括表面電位、靜電荷、 電容與壓電性等，這些性質的奈米級量測與分析相信會對未來半導體製程與元件 的發展有相當大的助益。 二、SFM 系統簡介： SFM 是藉由量測一微小的探針尖端(tip)與樣品表面間的交互作用力來量測 表面特性，因此探針扮演著關鍵性的角色。一般 SFM 探針的結構如圖一所示， 其探針尖端與懸臂的特性都必須依所欲量測的作用力審慎選擇。例如，以 MFM 量測表面磁性時，所使用的探針尖端必須帶有磁性。同樣，量測表面電性所用的 探針必須具備良好的導電性。此外，依所量測的作用力大小與系統操作方式，也 需要選擇適當的探針懸臂力常數 (force constant，k)與共振頻率(resonance frequency，ω0)才能得到好的數據。 圖一 SFM 探針的主要結構可分為懸臂 (cantilever)與尖端(tip)兩部分。當探針尖端 與表面產生作用力時，懸臂會產生些微彎