第九章__霍尔式传感器.pptVIP

第一节 霍尔元件的基本工作原理 霍尔式传感器是以霍尔元件作为其敏感和转换元件的传感器。 霍尔元件则是利用某些半导体材料的霍尔效应原理制成的。 霍尔效应 在垂直于半导体薄片平面的方向上，施加磁感应强度为B的磁场，在其长度方向上通以电流I，则在半导体的另外两边将产生一个大小与控制电流I和磁感应强度B的乘积（IB）成正比的电动势。这种现象称为霍尔效应。 计算公式 假设自由电子以匀速按图9-1所示方向运动，则在磁感应强度B作用下，每个电子所受洛仑兹力为 FL=evB 对于P型半导体，其多数载流子是空穴，也存在与N型半导体类似的霍尔效应。 用空穴浓度p户代替电子浓度 n UH正比于BI。只要通过测量电路测出UH，那么B和I两个参数中，一个参数已知就可求出另一个参数。 因而任何可转换成B或I的未知量均可利用霍尔元件进行测量。 此外，可转换成B和I乘积的未知量亦可进行测量。 第二节 霍尔元件的基本结构和主要技术指标 一、基本结构 国产霍尔元件型号的命名方法 二、主要技术指标 1·额定控制电流Ic和最大控制电流Icm 霍尔元件在空气中产生l0oC的温升时所施加的控制电流值称为额定控制电流Ic 。 霍尔元件的温升达到最大允许温升?Tm时的Ic就是最大控制电流Icm。 2·乘积灵敏度KH 霍尔