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第5章 频率响应 5–1 频率响应的概念 5–2 单级共射放大器的高频响应 5–3 共集电路的高频响应 5–4 共基电路的高频响应5–5 差分放大器的频率响应5–6 场效应管放大器的高频响应 5–7 放大器的低频响应 5–8 多级放大器的频率响应 5–9 建立时间tr与上限频率fH的关系 5–10 举例及计算机仿真 5–1 频率响应的概念 5–1–1频率失真及不失真条件 一、频率失真 我们知道，待放大的信号，如语音信号、电视信号、生物电信号等等，都不是简单的单频信号，它们都是由许多不同相位、不同频率分量组成的复杂信号，即占有一定的频谱。 如图5–1(a)所示，若某待放大的信号是由基波(ω1)和三次谐波(3ω1)所组成，由于电抗元件存在使放大器对三次谐波的放大倍数小于对基波的放大倍数，那么放大后的信号各频率分量的大小比例将不同于输入信号。 二、线性失真和非线性失真 线性失真和非线性失真同样会使输出信号产生畸变，但两者有许多不同点： 1.起因不同 线性失真由电路中的线性电抗元件引起，非线性失真由电路中的非线性元件引起(如晶体管或场效应管的特性曲线的非线性等)。 2.结果不同 线性失真只会使各频率分量信号的比例关系和时间关系发生变化，或滤掉某些频率分量的信号，但决不产生输入信号中所没有的新的频率分量信号。 三、不失真条件––理想频率响应 综上所述，若放大器对所有不同频率分量信号的放大倍数相同，延迟时间也相同，那么就不可能产生频率失真，故不产生频率失真的条件为 图5–2给出了不产生线性失真的振幅频率响应和相位频率响应，称之为理想频率响应。 5–1–2实际的频率特性及通频带定义 实际的振幅频率特性一般如图5–3所示。在低频和高频区放大倍数有所下降，而中间一段比较平坦。为分析方便起见，人们将实际的振幅频率响应划分为三个区域，即中频区、低频区和高频区。并定义上限频率fH、下限频率fL以及通频带BW，以便定量表征频率响应的实际状况。 5–2单级共射放大器的高频响应 5–2–1晶体管的频率参数和高频等效电路 一、晶体管的高频等效电路 在第二章中，我们曾经提到过晶体管的势垒电容和扩散电容。因为发射结正向偏置，基区存贮了许多非平衡载流子，所以扩散电容成分较大，记为Cb′e；而集电结为反向偏置，势垒电容起主要作用，记为 Cb′c。在高频区，这些电容呈现的阻抗减小，其对电流的分流作用不可忽略。考虑这些极间电容影响的高频混合π小信号等效电路如图5–4所示。 二、晶体管的高频参数 1.共射短路电流放大系数β(jω)及其上限频率fβ 由于电容C b′e的影响，β值将是频率的函数。根据β的定义 2. 特征频率fT 特征频率fT定义为|β(jω)|下降到1所对应的频率，如图5–5所示。 当f= fT时: 3.共基短路电流放大系数α(jω)及fα 因为 5–2–2共射放大器的高频响应分析 一、共射放大器的高频小信号等效电路 图5–6(a)所示的共射放大器的高频小信号等效电路如图5–6(b)所示。该电路中Cb′c跨接在输入回路和输出回路之间，使高频响应的估算变得复杂化，所以首先应用密勒定理将其作单向化近似。 二、密勒定理以及高频等效电路的单向化模型 密勒定理给出了网络的一种等效变换关系，它可以将跨接在网络输入端与输出端之间的阻抗分别等效为并接在输入端与输出端的阻抗。 如图5–7(a)所示，阻抗Z跨接在网络N的输入端与输出端之间，则等效到输入端的阻抗Z1为 三、高频增益表达式及上限频率 由图5–8(b)可见  根据式(5–26)、(5–27)画出单级共射放大器的幅频特性和相频特性分别如图5–9(a),(b)所示。在半功率点处对应的附加相移为-45°，而当频率f≥10fH以后，附加相移趋向于最大值(-90°)。 四、频率特性的波特图近似表示法 将