[工学]第1章 电力电子开关器件.ppt

1.1 电力电子开关器件概述 1.1.1 电力电子开关器件的特点 1.4.3 门极可关断晶闸管的主要参数 最大可关断阳极电流 IATO ——指GTO正常工作时，可以用门极负脉冲关断的额定电流。 关断增益 ?off ——最大可关断阳极电流IATO与门极负电流最大值IGM之比: ?off是表征GTO关断能力的参数，其值一般为3～8。随温度升高，关断增益下降。这是GTO的一个主要缺点。 它受额定工作结温的限制，用通态平均电流来定义： 阳极尖峰电压 UP ——在下降时间末尾出现的极值电压，随着阳极可关断电流增大而增大。 UP过高会导致GTO失效。 阳极电压上升率 du/dt——分静态和动态两种情况。 静态du/dt——GTO阻断时所能承受的最大电压上升率。 动态du/dt——GTO在门极关断过程中阳极电压的上升率，也称重加du/dt 静态du/dt过高时，GTO中结电容流过较大的位移电流会 使GTO误导通。 过高的动态du/dt会使瞬时关断功耗过大，可关断阳极电 流下降，严重时造成GTO过电压，导致器件损坏。 阳极电流上升率 di/dt——GTO开通过程中的电流上升速率。 di/dt过大会导致开通瞬间GTO阴极区电流局部过大，开 通损耗增加，局部发热高损坏器件。应用时可采用串联 缓冲电路限制。 1.5 电力晶体管 1.5.1 电力晶体管的结构和工作原理 电力晶体管（Giant Transistor，GTR） ——也称巨型晶体管。GTR的电流是由自由电子和空穴两种载流子运动形成，属于双极型晶体管。 由三层半导体材料 构成，有NPN和PNP 两种类型。 结构上可以看作是 多个晶体管单元的并 联 主要特性是耐压高、 电流大、开关特性好。 目前常用的电力晶体管常见的结构有单管、达林顿管和GTR模块三个系列。 1. 单管GTR 单管GTR常见的有NPN型三重扩散台面结构，这种结构可靠性高、能改善器件二次击穿特性、耐压高、热阻小。 达林顿GTR 单管GTR电流增益较低，一般10～20倍左右，使得驱动电路负担加重。 将两个或两个以上的晶体管复合在一起，类型等效有NPN型和PNP型，其类型一般由驱动管决定。 达林顿结构是提高电流增益的常用办法。 GTR必须有连续的基极驱动电流才能维持导通，基极电流消失，管子自动关断，属于电流控制型的全控型开关器件。 GTR模块 GTR模块是将GTR管芯、稳定电阻、加速二极管和续流二极管等组装成一个单元，根据不同用途将几个单元封装在一个外壳之内，引出电极构成。 GTR模块集成度较高，体积小，重量轻，性能/价格比大大提高。 常见的有：单管、 双管、四管和六管 模块，可以很方便 地构成各种变换电 路。 图是两个三级达林 顿GTR构成的单臂 桥式模块等效电路。 1.5.2 电力晶体管的基本特性 1. 共发射极输入输出特性 GTR的输入特性： 表示GTR基—射极间电压与流入基极电流的关系。 GTR的输出特性： 表示在不同电流作用下，集电极电流与集—射极间电压的关系。 GTR的工作状态可分为四个区域：截止区、放大区、准饱和区和深饱和区。 截止区：GTR承受反压处于关断状态，集电极漏电流很小。 放大区是GTR线性工作区，开关状态下的GTR严禁工作于线性区。 准饱和区：是GTR临界饱和导通状态，此时?IB≈IC，饱和压降较高。 深饱和区：随基极电流IB增加，当?IB大于集电极工作电流时，GTO进入深饱和区。 开关特性 ——GTR开通、关断过程中的瞬态特性 基极电流和集电 极电流之间存在开 关延迟时间。 GTR的工作过程 可以分为开通过程、 导通状态、关断过 程和阻断状态4个 阶段。 开通时间ton包括延迟时间td和上升时间tr ，即开通时间ton = td + tr 。 关断时间toff包括存储时间ts和下降时间tf，即关断时间toff = ts + tf 。 一般GTR的开通时间在纳秒数量级，关断时间的数值都在微秒数量级（ ts大约为3～8μs， tf约为1μs）。 1.5.3 电力晶体管的主要参数 静态参数 共射极电流增益β ——共射接法下GTR集电极电流iC与基极电流iB的比值，用来表示GTR的电流放大能力。 单管GTR的β值较小，达林顿结构较大。 饱和压降UCES ——GTR工作在深饱和区集电极与发射极间的导通电压。 UCES直接关系到器件的功率损耗。 极限参数 ——允许施加在GTR上的电压、