[工学]第六章物理方法薄膜沉积技术.ppt

IC制造中的薄膜 集成电路芯片制造工艺中，在硅片上制作的器件结构层绝大多数都是采用薄膜沉积的方法完成的。 二种薄膜沉积工艺 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition） 利用化学反应生成所需的薄膜材料，常用于各种介质材料和半导体材料的沉积，如SiO2, poly-Si, Si3N4…… 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition） 利用物理机制制备所需的薄膜材料，常用于金属薄膜的制备，如Al, Cu, W, Ti…… 薄膜制备技术 薄膜：在衬底上生长的薄固体物质，其一维尺寸（厚度）远小于另外二维的尺寸。 常用的薄膜包括: SiO2, Si3N4, poli-Si, Metal… 常采用沉积方法制备： 物理气相沉积 （Physical Vapor Deposition） 化学气相沉积 （Chemical Vapor Deposition） 薄膜的生长 沉积薄膜的三个阶段： 晶核形成 — 聚集成束 — 形成连续膜 台阶覆盖能力（Step Coverage） 我们希望薄膜在不平整衬底表面的厚度具有一致性 厚度不一致容易导致膜应力、电短路等问题。 高的深宽比间隙填充能力（Gap Fill） 深宽比：孔的深度H与宽度W的比值 在亚0.25mm工艺中，填充硅片表面很小的间隙和孔的能力是重要的薄膜特性。 防止出现空洞，减少出现缺陷和可靠性问题。 薄膜应力（Stress） 应力的来源： 薄膜的成核和生长过程中的产生本征应力 薄膜与衬底的热膨胀系数不匹配导致外应力 应力分类： 热应力与热膨胀系数a 应力的表征 通常用圆片在沉积前后的弯曲变化量来测量。 物理沉积PVD （Physical Vapor Deposition） 采用蒸发或溅射等手段使固体材料变成蒸汽，并在硅片表面凝聚并沉积下来。 没有化学反应出现，纯粹是物理过程 制备金属薄膜的最主要方式。 物理沉积方法 Thermal Evaporation (热蒸发) E-beam Evaporation (电子束蒸发) Sputtering (溅射) Filter Vacuum Arc (真空弧等离子体) Thermal Oxidation (热氧化) Screen Printing (丝网印刷) Spin Coating (旋涂法) Electroplate (电镀) Molecular Beam Epitaxy (分子束外延) 蒸发工艺参数 蒸发要求的真空度：10-5 Torr 蒸发沉积速率取决于 离开蒸汽源的材料量 达到硅片衬底的材料量 蒸发沉积速率公式： 蒸发工艺的限制 沉积薄膜的速率限制：高速率与均匀性的矛盾 沉积薄膜的纯度的限制 沉积薄膜的台阶覆盖能力的限制：阴影效应 合金材料与多组分复合材料薄膜的沉积 合金蒸汽压相近，采用单源蒸发 合金蒸汽压不同，采用多源同时/分次蒸发 溅射技术 (Sputtering) 离子溅射技术物理过程 4、能量落在10eV~10KeV之间时，一部分离子能量以热的形式释放，剩下的部分能量造成靶材表面几个原子层(原子或原子团)脱离靶材，发射出表面。逸出的原子和原子团的能量约为10-50eV，约为蒸发工艺中原子/原子团能量的100倍，迁移率大大增加，可改善台阶覆盖能力，提高微隙填充能力。 沉积速率与溅射产额 影响沉积速率的关键因素 入射离子流量、溅射产额和溅射材料在腔室中的输运 影响溅射产额的关键因素： 离子能量、离子质量、靶原子质量和靶的结晶性 对于每一种靶材，都存在一个能量阈值，低于该值则不发射溅射。（10~30 eV） 溅射产额随离子能量的变化关系 溅射产额与离子原子序数的变化关系 直流/射频型溅射（DC/RF diode） 直流/射频型溅射（DC/RF diode） 靶材表面的离子和电子运动轨迹 磁控溅射过程 蒸发法和溅射法的比较 溅射法形成的台阶形貌优于蒸发法，但不如CVD法 改善措施： 衬底加热； 硅片衬底加RF偏压， 圆片被高能电子轰击， 使溅射材料再沉积； 强迫填充溅射； 准直溅射； 强迫填充溅射 施加几个大气压的高压使金属自动坍塌 准直溅射 控制粒子沉积的方向，更好的填充高深宽比的孔，但是减低了沉积速率。 常用的溅射工艺流程 金属薄膜：采用磁控直流溅射 介质薄膜：采用RF溅射 溅射前预清洗工艺：采用RF等离子体，Ar+离子轰击硅片表面，去除自然氧化层 合金材料的溅射： 合金靶材：薄膜组分受控于气相传输 多靶溅射：调节各靶功率来改变沉积层组分 TiN反应离子溅射：在N气氛下进行Ti靶溅射，生成TiN。 多腔体沉积系统（Multi Chamber Deposition System） 石英晶振 石英晶体是离子型晶体，具有压电效应 压电谐振，