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- 2018-02-28 发布于天津
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羽翼状晶胞功率电晶体之元件电场与可靠度分析及非对称式沟渠式
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論
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年
附件一
V 成 果 報 告
行政院國家科學委員會補助專題研究計畫
□期中進度報告
(計畫名稱)
羽翼狀晶胞功率電晶體之元件電場與可靠度分析及
非對稱式溝渠式羽翼狀功率電晶體之研究
計畫類別: V個別型計畫 □ 整合型計畫
計畫編號: NSC 95 -2221 -E -035 -136-
執行期間: 95 年 8 月 1 日至 96 年 7 月 31 日
計畫主持人:簡鳳佐
共同主持人:
計畫參與人員: 廖健男、詹前亮、詹明宏、吳志威、方金木、呂秉叡
成果報告類型(依經費核定清單規定繳交):V 精簡報告 □完整報告
本成果報告包括以下應繳交之附件:
□赴國外出差或研習心得報告一份
□赴大陸地區出差或研習心得報告一份
V 出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份
□國際合作研究計畫國外研究報告書一份
處理方式:除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、
列管計畫及下列情形者外,得立即公開查詢
V 涉及專利或其他智慧財產權,□一年 V 二年後可公開查詢
執行單位:逢甲大學電子系
羽翼狀晶胞功率電晶體之元件電場與可靠度分析及非對稱式溝渠式羽翼狀
功率電晶體之研究
The Analysis of Device Electric Field and Reliability Results of Wing Cell Power
MOSFETs and the Study of Asymmetric Trench Wing Cell Power MOSFETs
計畫編號:NSC 95-2221-E-035-136
執行期限:9 5年8月1日至96年7月31日
主持人:簡鳳佐(逢甲大學電子系)
計畫參與人員:廖健男(中央大學電機系)、詹前亮(逢甲大學電子系)
詹明宏(逢甲大學電子系)、吳志威(逢甲大學電子系)
方金木(逢甲大學電子系)、呂秉叡(逢甲大學電子系)
Abstract density. One can also use this “wing
We study the reliability of the planar mask” concept to avoid the “closed
wing cell Power MOSFETs design. A mask” structure patents.
new trench cell structure Power MOSFET,
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