识别抛光矽晶圆上大型影响良率的缺陷的新方法-YMSMagazine.PDFVIP

專題報導 識別拋光矽晶圓上大型、影響良率的缺陷 的新方法 、 、 、 Kerem Kapkin KeunSu Kim Jason Saito Hyosik Suh – KLA-Tencor Corporation 、 、 、 Chung Geun Koh Dae Jong Kim Byeong Sam Moon Seung Ho Pyi – Hynix Semiconductor Corporation 對於 45 奈米世代的晶圓而言 ，裸晶圓檢測技術的創新使得大而短淺之缺陷的捕獲與分類能力有所提昇。新的分類 技術是結合多管道處理之後 ，使得晶圓製造商與 元件製造業者能夠找出這些缺陷，並且根據缺陷是否能夠清除將它 IC 們歸類 ，或是要求廢棄晶圓。在製造過程中儘早識別這些缺陷將能夠改善產品品質及提昇良率。 隨著元件體積的持續縮小 ，晶圓表面狀況、缺陷大小、 晶圓製造商需要能夠檢測及準確識別這些缺陷 ，並且將 形狀及類型也逐漸成為影響元件產量、效能與可靠性的 它們與大型微粒的背景缺陷群作區分 （後者缺陷可以透 重要因素 。 （半導體國際技術藍圖 ，