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第 8章 半导体存储器;8.1 概述;按制造工艺分 双极型 双极型存储器工作速度快、功耗大、价格高、集成度不高 MOS型 MOS型存储器功耗低、工艺简单、集成度高、价格低;存储容量 位(bit) 存储器最基本的存储单元，可存储一个0或一个1 字(byte) 若干个基本存储单元排列在一起组成一个字 存储器的存储容量通常用(字数) × (位数)表示；例如 存储容量为1024(字) ×8(位)的存储器内包含有8192个基本存储单元，常表示成1k×8位(1k=1024)，或1k字（字长8位）;8.2 顺序存取存储器（SAM）;8.2.1 动态CMOS反相器;8.2.2 动态CMOS移存单元;8.2.3 动态移存器和顺序存取存储器（SAM）;8.2.3 动态移存器和顺序存取存储器（SAM）;8.3 随机存取存储器（RAM）;8.3.1 RAM结构;8.3.1 RAM结构;8.3.1 RAM结构;8.3.1 RAM结构;8.3.1 RAM结构;8.3.2 RAM存储单元;8.3.2 RAM存储单元;8.3.2 RAM存储单元;8.3.3 RAM集成芯片HM6264;8.3.4 RAM存储容量的扩展;8.3.4 RAM存储容量的扩展;8.3.4 RAM存储容量的扩展;8.4 只读存储器（ROM）;8.4.1 固定ROM;8.4.1 固定ROM;8.4.2 可编程ROM（PROM）;8.4.3 可擦除可编程ROM（EPROM） 和电可擦可编程ROM（EEPROM） ;在漏源极间加高压(+25V)，沟道内形成雪崩击穿，而控制栅加正脉冲( 25V/50ms)，吸引部分高能电子穿透SiO2绝缘层，被浮栅俘获并聚集于浮栅，当去掉高压电源后，由于包围浮栅的SiO2的高绝缘性能，被俘获电子难以泄漏并将长期保存，使浮栅带上负电，该负电压的存在，必须施加比阈值电压VGS(th)更高的控制栅电压才能抵消浮栅上负电荷的作用，而形成导电沟道。正常工作时＋5V的控制栅电压不能再使管子导通，说明该存储单元被长期写入0。如此，可将全部该写0的单元写0，实现用户编程;若要擦除所写入的数据，可将其置于EPROM擦除器产生的强紫外光照射之下，并持续一定时间（几到十几分钟），浮栅上的电子通过紫外光获得光子能量，而穿透绝缘层回到衬底中，芯片又恢复到全部存储单元为1的初始状态。该芯片又可以再一次被用户 改写编程（用户多次编程）， 数据可保存约10年。为区别 于固定ROM，这些可编程单 元在阵列图中的交叉点上用 “×”表示，而不再用圆点;8.4.3 可擦除可编程ROM（EPROM） 和电可擦可编程ROM（EEPROM）;8.4.3 可擦除可编程ROM（EPROM） 和电可擦可编程ROM（EEPROM）;8.4.4 用ROM实现组合逻辑函数;8.4.4 用ROM实现组合逻辑函数;8.4.4 用ROM实现组合逻辑函数;8.4.4 用ROM实现组合逻辑函数;8.4.4 用ROM实现组合逻辑函数;8.4.5 ROM集成芯片2716;;;