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[工学]第3章 集成逻辑门电路
第3章 集成逻辑门电路 3.1 概述 3.2 TTL与非门 3.3 ECL电路及I2L电路的特点 3.4 CMOS电路 3.5 集成逻辑门电路的使用 3.1 概述 集成电路(Integrated Circuit)就是将所有的元件和连线都制作在同一块半导体基片(芯片)上。集成电路分模拟和数字两大类。 在数字集成逻辑电路中,常以“门”为最小单位。我们可按其“集成度”(一定大小的芯片上所含门的数量多少)分成: 小规模集成电路(SSI:Small Scale Integrating),一块芯片上含1~50个门。 中规模集成电路(MSI:Medium Scale Integrating),一块芯片上含50~100个门。 大规模集成电路(LSI:Large Scale Integrating),一块芯片上含100~10000个门。 超大规模集成电路(VLSI:Very Large Scale Integrating),一块芯片上含10+4~10+6个门。 如果集成逻辑门是以双极型晶体管(电子和空穴两种载流子均参与导电)为基础的,则称为双极型集成逻辑门电路。它主要有下列几种类型: E晶体管—晶体管逻辑(TTL:Transistor-Transistor Logic); 高阈值逻辑(HTL:High Threshold Logic); 射极耦合逻辑(ECL:Emitter Coupled Logic); 集成注入逻辑(I+2L:Integrated Injection Logic)。 如果集成逻辑门是以单极型晶体管(只有一种极性的载流子:电子或空穴)为基础的,则称为单极型集成逻辑门电路。目前应用得最广泛的是金属—氧化物—半导体场效应管逻辑 电路(MOS:Metal Oxide Semiconductor)。; MOS电路又可分为: PMOS(P沟道MOS); NMOS(N沟道MOS); CMOS(PMOS—NMOS互补)。 3.2 TTL与非门 3.2.1 TTL与非门的典型电路及工作原理 1. TTL与非门的典型电路 图3.2.1是TTL与非门的典型电路,它由三部分组成。 输入级:由多发射极管V1和电阻R1组成,完成逻辑上的“与”。 中间级:由V2,R2,R3组成。由于V2的集电极和发射极为V3,V5提供了两个相位相反的信号,所以这级又称倒相级。 输出级:由V3,V4,V5,R4,R5组成。其中,V5为反相器,V3,V4组成的复合管是V5的有源负载,完成逻辑上的“非”。由中间级提供的两个相位相反的信号,使V4、V5总处于一管导通而另一管截止的工作状态。这种形式的输出电路称为“推拉式输出”电路,或称“图腾输出”。 输出级的特点是:无论输出是高电平还是低电平,输出电阻都比较低。这是因为当输出为低电平时,V5饱和,V4截止,输出电阻rO=rCES5,值很小。当输出为高电平时,V5截止,V3、V4导通,V3、V4工作在射极跟随器状态,输出电阻rO的阻值很小。由于电阻rO值很小使得电路带负载的能力增强。 2.工作原理 (1)当输入端中任一端为低电平(0.3V),例如,UA=0.3V(A=0),UB=UC=3.6V(B=C=1)时,V1的B1eA发射结优先导通,V1基极电压Ub1被钳位在 Ub1=UA+UBe1=0.3+0.7=1V 该电压不足以使V1集电结、V2、V5导通,所以V1集电结,V2、V5截止,如图3.2.2所示。 因为UR5=Ie3R5UR2=Ib3R2 ? UR2被忽略,所以V3基极电压为 Ub3≈UCC=5V 为此可求得输出电压UF为 UF=Ub3-Ube3-Ube4=5-0.7-0.7=3.6V 这时电路输出为高电平3.6V(F=1),符合与非门“有0出1”的逻辑关系。输出高电平表明与非门这时可带拉流负载(详见3.2.2节)。
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