[教学研究]第4章 存储器.pptVIP

（2）典型EPROM芯片—Intel 2764A（8K×8Bit） ① 外部结构：双列直插28脚芯片 Vcc：工作电压，+5V； Vpp：编程电压，12.5V； NC：不用脚； ：片选信号， ：输出允许信号， ：编程脉冲输入端， A0～A12：13条地址线，可寻址213=8K存储空间； O0～O7：8条数据线。 4.电可擦除的只读存储器E2PROM 组成E2PROM的基本电路和EPROM类似，不同的是在浮栅附近再增加一个栅极做为控制极。 给控制极加正电压，使浮栅和漏极之间形成厚度不足200A的隧道氧化物，利用隧道效应，电子便注入浮栅，数据被写入。 如果给控制删一个负压，则浮栅上的电荷流向漏极，信息被擦除。 典型E2PROM芯片— AT28C64B Vcc：+5V单电源供电； A0～A12：13条地址总线； I/O0～I/O7：8条数据线； ：片选信号，低电平，选中该芯片 : 输出数据允许线，低电平有效。 : 写信号，低电平有效。 AT28C64B工作过程： 数据读出：当 =0且 =0且 =1时，即可将选中的单元中的数据读出。与RAM及EPROM的读出过程是一样的。 编程写入：有字节写入和页写入两种方式。 擦除：擦除和写入是同一种操作，只不过擦除是向单元中写入“1”。如果想将某一字节擦除，则只要执行写入操作，只不过写入的数据是“1”； 典型E2PROM芯片— 24C64 24C64（8K×8）是串行行接口E2PROM芯片，采用DIP封装，数据传输采用I2C总线。 Vcc：电源 A0～A2：地址总线。片选或页面选择地址输入。当接一片AT24C64时A0～A2接地。 SCL：串行移位时钟输入端，用于与输入/输出的数据同步。当SCL为高电平时，SDA线上的数据保持稳定，此时“数据有效”；当SCL为低电平时，SDA线上的数据允许改变。 SDA：串行数据输入/输出数据口。 WP：硬件写保护引脚，为低电平（接地）时正常写操作；为高电平时对部分存储区进行硬件写保护。 5 快速擦除读/写存储器FLASH Memory FLASH存储器也称为闪烁存储器，简称闪存，是一款电可擦除的非易失性新型存储器。具有快速编程、存储密度高，存取速度快、成本低、单一供电等特点。用FLASH存储器生产的半导体固态盘（U盘）已成为现今最常用的外存之一。从原理上说，FLASH Memory属于ROM型存储器。 （1）Flash Memory存储单元结构及工作原理 基本存储电路由一只MOS管构成，当浮置栅极内有电子时，S和D极导通，为“0”状态；当浮置栅极内无电子时，S和D极不导通，为“1”状态。 擦除：在源极和控制栅极之间接+12V电压，浮置栅极内电子向源极扩散，导致浮置栅极内电子丢失，S和D极之间的导电沟道消失，状态由“0”变为“1”。 写入：在控制栅极和S极之间接一个正向电压，电压值D和S极之间的正向电压，则来自S极的电子向浮置栅极扩散，使得浮置栅极带上足够多的电子，同时在衬底S与D极之间感应出导电层，使得S和D极之间导通，状态由“1”变“0”，完成写“0”的操作。 读：读的时候，只需要在S和D极之间加5V或3V（不同芯片要求不同）的电压，而S极和控制栅极之间不加电压，即可读出。 典型Flash Memory芯片—AT29C010（1Mbit） I/O0～I/O7：数据总线，8条， 双向，三态。 A0～A16：地址线，17条， 可寻址1MB空间。 其中A7～A16提供 1024个分区地址； A0～A6提供每个 分区内的128字节 单元地址； ：片选信号； ：读选通信号； ：写信号线； Vcc ：工作电压+5V。 4.3 存储器与CPU的连接 计算机系统的内存设计问题。需要解决三大问题： 如何选择存储器芯片？ 如何将小容量的存储器芯片扩充为一个大容量的内存系统？ 存储器芯片如何与CPU连接？ 4.3.1 存储器芯片的选择 1．存储器芯片类型的选择 对于专用设备，