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北京福星晓程元器件命名标准 目录 北京福星晓程元器件命名标准 1 电阻、电容命名标准： 2 二极管命名标准： 6 常用二极管名称型号及参数： 6 发光二极管命名法： 6 备注： 7 钽电容封装对照： 7 常用电阻参数对照： 7 插针型号说明： 7 常用元器件对照表 8  电阻、电容命名标准： 名 称 第一部分 第三部分 第三部分 第四部分 第五部分 第六部分 主称 材料 特征 封装 4位 数值 精度 耐压 温度系数 电阻 R T T 05 101 J I C 电容 C C T 03 104 M G A 例： 1、RTT05101JIC ：碳膜贴片电阻，阻值100Ω，精度为±5% 正常最大工作电压150V， 温度系数为±200ppm/℃ -55℃ to +125℃(工业级温度) 2、CCT03104KGA ：1类陶瓷介质贴片电容，容值0.1UF， 精度：±10%，耐压：50V， 温度系数为高稳定性工业级：0±30ppm/℃ -55℃ to +125℃ 第一部分 主称： 电阻：R 电容：C 材料 表示材料的字母代号对照表 字母代号 电阻 电容 A 钽电解 B注1 非极性有机薄膜介质 C 1类陶瓷介质 D 铝电解 E 其它材料电解 G 合金电解 H 合成膜 复合介质 I 玻璃釉膜 玻璃釉介质 J 金属膜(箔) 金属化纸介质 L注2 极性有机薄膜介质 N 无机实心 铌电解 O 玻璃模介质 Q 漆膜介质 S 有机实心 3类陶瓷介质 T 碳膜 2类陶瓷介质 V 云母纸介质 X 线绕 Y 氧化膜 云母介质 Z 纸介质 注： 1、用B表示聚苯乙烯薄膜介质，采用其他薄膜介质时，在B的后面再加一个字母来区分具体使用的材料。区分具体材料的字母由有关规范规定。如介质材料是聚丙烯薄膜介质时，用‘BB’来表示 2、用L表示聚酯膜介质，采用其他薄膜介质时，在L的后面再加一个字母来区分具体使用的材料区分。具体材料的字母由有关规范规定。如介质材料是聚碳酸酯薄膜介质时，用‘LS’表示 特征 器件主要特征对照表 代号 电阻器 瓷介电容器 云母电容器 有机介质电容器 电解电容器 1 普通 圆形 非密封 非密封(金属箔) 箔式 2 普通 管形(圆柱) 非密封 非密封(金属化) 箔式 3 超高频 迭片 密封 密封(金属箔) 烧结粉(非固体) 4 高阻 多层(独石) 独石 密封(金属化) 烧结粉(固体) 5 高温 穿心 穿心 6 支柱式 交流 交流 7 精密 交流 标准 片式 无极性 8 高压 高压 高压 高压 9 特殊 特殊 特殊 G 功率型 高功率 T 贴片 贴片 贴片 贴片 贴片 封装 封 装 公制mm 0603 1005 1608 2012 3216 3225 4520 4532 英制 0201 0402 0603 0805 1206 1210 1808 2010 1812 2512 代 码 电阻 ---- 02 03 05 06 12 ---- 20 ---- 25 电容 01 02 03 05 06 12 08 ---- 18 ---- 钽电容封装对照： 钽电容封装采用字符A、B、C、D、E、V表示，其对应封装见下表。 例：CATD：C表示电容，A表示钽材质，T表示贴片，D表示D型封装 即：贴片D型钽电解电容 标称数值 按国家命名标准由3或4位构成。 3位：普通器件 例：0.06Ω=R06 0.5Ω=R50 1Ω=1R0 10Ω=100 100Ω=101 4.7kΩ=472 4位：高精度器件 例：0.3Ω=R300 1.0Ω=1R00 精度 B: ±0.1pF F: ±1% K: ±10% C: ±0.25pF G: ±2% M: ±20% D: ±0.5pF或±0.5% J: ±5% Z:+80/-20% 耐压 A:4V B:5.5V C:6.3V D:10V E:16V F:25V G:50V H:100V I:150V J:200V K:300V L:500V P:1KV Q:2KV R:3KV S:4KV 温度系数(系数、工作范围) 电容： 晓程标准 美国标准 温度系数 工作范围 A NP0 0±30ppm/℃ -55℃ to +125℃ B X7R ±15% -55℃ to +125℃ C X5R ±15% -55℃ to +85℃ D Y5V +22/-82% -30℃ to +85℃ 电阻： 晓程标准 温度系数ppm/℃ 工作范围