Cu2ZnSnS4Cu2ZnSnSe4电子结构与光学特性的第一性原理计算.docxVIP

第22卷第5期 中国有色金屈学报 2012年5月、，01．22No 5The Chinese JournaI ofNOnferrous MetaIs May 2012文章编号：10044)609(2012)05-1413—08Cu2ZnSnS4／Cu2ZnSnSe4电子结构与 光学特性的第一性原理计算李苗苗i,2王天兴1一，夏存军1一，宋桂林1．_，常方高1,2(1．河南师范大学物理与信息工程学院，新乡453007；2．河南省光伏材料重点实验室，新乡453007)摘要：采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法，计算 Cu2ZnSnS4(CZTS)和Cu2ZnSnSeq(CZTSe)的电子结构和光学特性。计算并系统对比分析CZTS和CZTSe的态密度、 吸收系数、复介电函数、复折射率、反射率、复电导率和能量损失函数随光子能量的变化关系。结果表明，锌黄 锡矿型CZTS和CZTSe都是直接带隙半导体材料。CZTS和CZTSe的态密度和光学特性的曲线非常相似，但CZTS 的禁带宽度比CZTSe的偏大，导致CZTS的各个光学特性曲线相对于CZTSe的略微向高能方向移动． 关键词：CZTS；CZTSe；第一性原理；能态密度；光学特性中图分类号：047l 文献标志码：AFirst-principles calculation of electronic structure and optical properties of Cu2ZnSnS4／Cu2ZnSnSe4LI Miao—mia01，2，WANG Tian-xin91·2，XIA Cun-janl，2，SONG Gui—linl·2，CHANG Fang，ga01·2(1．College ofPhysics and Information Engineering，Henan Normal University,Xinxiang 453007,China；2．Henan Key Laboratory ofPhotovoltaic Materials，Xinxiang 453007，Ctma)Abstract：The electronic SIIUCURe and optical properties ofCu2ZnSnS4(CZTS)and Cu2ZnSnSe4(CZTSe)were compuled by mearlS of plane wave ultrasofl pseudo-potential method with generalized gradient approximation(G-OA)under the density functional theory(DFT)．ne density of states，adsorption coefficient,dielectric function，refractive index, refleetivity,conductivity and loss function werle also calculated and compared．The results show that both the kcstmiteCZTS and the kesterite C2丁Se are direct band gap semiconductors．The densi坤ofstates and optical characteristic cllrv锵 ofCZTS and CZTSe an very similar．But all optical characteristic CUrveS ofCZTS sligllOy shift to high engTgy compared wi血that ofCZTSe from its wider band gap．Key words：CZTS；CZTSe；first-principles；density ofstates；optical properties理想太阳能电池吸收层材料应该是带隙在 而且，高效率的CIGS薄膜太阳能电池的禁带宽度不1．和I．6 eV的直接带隙半导体材料，而且组成吸收层 能达到太阳能吸收的最佳禁带宽度13--4]。作为这一问题 材料的元素资源丰富，价格低廉，并且无毒无污剿”。 的解决方案，Cu2ZnSnS4(CZTS)和Cu2ZnSnSe4(CZTSe) Cu(1n，Ga)Se2(OGS)作为最有前途的吸收层材料，最 目前被认为是很有前景的替代性材料1”。这是因为 近由德国太阳能和氢能研究机构(ZSw)制备的小面 Cu、Zn、Sn、S、Se元素在地壳中的含量丰富(cu：积薄膜太阳能电