e磁性物理的基础-磁畴与技术磁化.pptVIP

E、磁性物理的基础 磁畴与技术磁化 四、技术磁化 B、参杂理论：如果晶体内包含很多非磁性或弱磁性的杂质而内应力的变化不大。畴壁位移时，畴壁能的变化主要是由于畴壁面积的变化。对于1800畴壁就有 S为晶体单位体积内发生位移的畴壁总面积，? 畴壁能密度不变。 4、起始磁化率的计算 A、内应力理论 《1》900畴壁位移过程：无外场时900畴壁位于内应力改变符号的地方，设内应力在小区域内的变化规律为 畴壁位于?=0处。设外加磁场使那些平行于x轴方向的畴长大， , 故得到 由磁场dH所产生的磁化强度为 为单位体积内900畴壁的总面积，由此得到起始磁化率 假设晶体被900畴壁分为大小相等的若干立方形磁畴，并沿x易轴方向有一个内应力变化，每一个磁畴的边长为l，表面积为6l2，体积为l3，故单位体积内900畴壁的总面积为6l2/l3=6/l。对仼意的磁畴分布时，只有2/3的位置有900畴壁存在，因此 得到： 当内应力很小时，内应力耒源于磁致伸缩，则 ?0=E?s,E为杨氏弹性模量， 对于铁，Is=1700高斯，=19.5x10-6，E=1012达因/厘米2, 铁的实验值用最好的纯铁测得起始磁导率μ0为30000，在数量级上是符合的。 《2》1800畴壁位移过程 无外加磁场时，1800畴壁位于畴壁能极小值处,即内应力极小点。假设内应力在小区域内的分布为 得到： 在单位体积内，由畴壁位移?x