[信息与通信]微机原理 第05章 存储器原理与接口.pptVIP

第5章 存储器原理与接口 存储器分类 多层存储结构 主存储器 8086系统的存储器组织 5.1 存储器分类 一、有关存储器几种分类方法 存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器 按存取方式分类 随机存储器RAM (Random Access Memory) 只读存储器ROM（Read-Only Memory） 串行访问存储器(Serial Access Storage) 按在计算机中的作用分类 主存储器(内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器 二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM a. 静态RAM b. 动态RAM 2、只读存储器ROM a. 掩膜式ROM b. 可编程的PROM c. 可用紫外线擦除、可编程 的EPROM d. 可用电擦除、可编程的 E2PROM等 3、Flash Memory 典型闪速存储器芯片TMS29F040： 512K*8bit； 8个独立区段，每区段64K字节； 可编程/擦除10万次； 片内的状态机控制编程与擦除； Flash操作的大概步骤 要对所有的block单独进行操作，每个操作结束，都需要判断状态。 每个block操作的大概步骤如下:? 1.unlock?  2.erase?  3.check?empty?  所有的block完成上述操作，且状态正确，才能进 行下一步，写?  4.write? Flash工艺结构分类 NOR flash vs NAND flash Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面 1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级 NOR flash vs NAND flash NOR的读速度比NAND稍快一些 NAND的写入速度比NOR快很多 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快 大多数写入操作需要先进行擦除操作 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 接口差别 NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 5.2 多层存储结构 1. 多层存储结构概念 核心是解决容量、速度、价格间的矛盾，建立起多层存储结构。 一个金字塔结构的多层存储体系充分体现出容量和速度关系。 Cache—主存层次 ： 解决CPU与主存的速度上的差距 主存—辅存层次 ： 解决存储的大容量要求和低成本之间的矛盾 。 5.3 主存储器 一、 主存储器的主要技术指标 存储容量 (系统容量跟地址线宽度、寻址能力有关) 存取速度 可靠性 功耗 二、主存储器的基本组成 MOS型器件构成的RAM，分为静态和动态RAM两种： 静态RAM通常有6管构成的触发器作为基本存储电路静态存储单元； 动态RAM通常用单管组成基本存储电路。 1.静态存储单元 2. 动态存储单元 3. 结构 地址译码 （片内单元选择） 分：单译码方式（字结构） 双译码方式（复合译码结构） 输入输出控制 存储体 5.4 8086系统的存储器组织 一、8086CPU的存储器接口 8086最小模式和最大模式的系统配置是不一样的，最大模式中增设了一个总线控制器8288和一个总线仲裁器8289，因此，8086CPU和存储器系统的接口在这两种模式中是不同的。 二、CPU 提供的信号线 数据线 D15～D0 地址线 A19～A0 存储器或I/O端口访问信号M/IO# /RD 读信号 /WR 写信号 /BHE 总