[信息与通信]第4章光源及光发射机1.ppt

* 由于热运动，价带中的电子获得能量被激励到导带，产生电子--空穴对。对于本征材料，电子和空穴总是成对出现；对于非本征材料，一种载流子的增加，伴随着另一种载流子的减少。 * * * 4 平衡时，中间形成一个特殊的区域-pn结，它阻挡了载流子的扩散运动，因此也称为耗尽区。 有源层 * P型 N型 费米能级处在同一条线上。 * * 5 * * 5 正向偏压使耗尽区变窄，便于n型（或者p型）半导体的多数载流子向对方扩散，导致p型（或者n型）内的少数载流子浓度大大增加。 * * 5 正向偏压使耗尽区变窄，便于n型（或者p型）半导体的多数载流子向对方扩散，导致p型（或者n型）内的少数载流子浓度大大增加。 * * 4 * * 结构中间有一层窄带隙N型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。 由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后，P层的空穴和N层的电子注入有源层。P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。同理，注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。 * * 基本的光学谐振腔由两个反射率分别为100%和90%-95%的平行反射镜构成(如图4.1.0.3所示) 。由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布，可以用它产生的自发辐射光作为入射光。入射光经反射镜反射，沿轴线方向传播的光被放大，沿非轴线方向的光被减弱。反射光经多次反馈，不断得到放大，方向性得到不断改善，增益大幅度得到提高。 * * * * * 其实就是满足驻波条件。 * * * 沿腔轴线方向电磁场的本征态。纵模数表示激光振荡频率数，纵模数多，单色性差。单一纵模单色性最好。 * * 抑制横模是为了提高光源输出光束的亮度，同时减小光斑尺寸。为了将激光器用于高速系统中，还需要对纵模进行约束，即输出单个波长。 * 纵模数随注入电流而变： * * 这种激光器的性能受注入电流的强度的影响，而注入电流容易引起一些非线性过程。 增益导引半导体激光器：沿激光长度方向放置一个窄的条形电极，将注入电流限制在一个窄条里。 缺点：光功率增大时，光斑尺寸不稳定，模式稳定性亦不高。 * * * 边模抑制可以达到30dB，且对电流和温度变化不太敏感，而且P-I曲线线性度好 理想对称的DFB激光器会同时发射两个0阶模。但实际中可以通过人为地使结构不对称导致模式增益的退化，最终导致单模操作 * * 20世纪70年代的双异质结激光器、80年代的量子阱激光器和90年代出现的应变量子阱激光器是半导体激光器发展过程中的三个里程碑。 * 20世纪70年代的双异质结激光器、80年代的量子阱激光器和90年代出现的应变量子阱激光器是半导体激光器发展过程中的三个里程碑。 * 20世纪70年代的双异质结激光器、80年代的量子阱激光器和90年代出现的应变量子阱激光器是半导体激光器发展过程中的三个里程碑。 * 在量子阱激光器中，由于有源层厚度很小，若不采取措施，会有很大一部分光渗出。 * * * 出现于1990年.所谓表面发射是相对于一般端面发射激光器而言，光从垂直于结平面的表面发射。而所谓垂直腔是指激光腔方向（光子振荡方向）垂直于半导体芯片的衬底，即光子振荡方向与光出射方向一致。有源层厚度即为腔长，由于有源层很薄，要在如此短的腔内实现低阈值振荡，除了要求有高增益的有源介质外，还要求有高的腔面反射率，这只有到80年代用MBE和MOCVD等技术制成量子阱材料和分布bragg反射器（DBR）后才有可能。 在1984年和1988年先后实现了VCSEL的室温脉冲和连续工作，随着技术的不断改善，其性能迅速提高。VCSEL体积小，阈值低，功耗低，便于制成大规模二维列阵激光器，方便与光纤高效耦合，而且可以输出窄线宽，发散角小的单纵模激光。可用于泵浦固体激光器，光信息并行处理等，它的特点也决定了其在光子集成（PIC）和光电子集成（OEIC）中的重要地位。 * * 半导体pn结中的发光过程存在辐射复合与无辐射复合两种过程。 半导体发光器件的内量子效率可做的很高，但实际光器件的输出光子远小于有源层中产生的光子数。这是：一、由于发光区产生的光子，部分被材料吸收；二、由于半导体材料的高折射率(n=3－4)，光子在界面出受到高反射，使逸出界面的光子数大为减少。 标准的半导体激光器，外量子效率典型值为15%~20%。 * 降低线宽可采取以下措施： 增大光功率（或腔内总光子数） 可通过改变腔结构、增加总体积、增加单位体积内储能（如增加端面反射系数）或增加输出功率来实现。 减小自发发射速率。通过注入锁定来实现。 从外部稳定载流子密度以使幅值-相位耦合最小。 通过驱动电流的反馈控制来稳定载流子密度，有效减少激光场的幅值-个位耦合。 * 降低线宽可采取以下措施