[信息与通信]通信电子线路 第二章 第3～5节.pptVIP

2.3 单调谐放大器 按调谐回路分----单调谐放大器 双调谐放大器 参差调谐放大器 按晶体管连接方法分---- 共b、共e、共c 放大器 重点:共发射极（共e ）单调谐放大器 一、技术指标 1.放大能力 用谐振时的放大倍数 K0 表示。 2.选频性能 (1) 通过有用信号的能力 即具有一定的通频带。 放大器能有效放大的频率范围 (2)??抑制无用信号的能力 即有足够的选择性。 放大器对其他频率信号抑制能力的衡量。 二、工作原理  2. 电压放大倍数K 3. 谐振电压放大倍数K0 谐振时， 谐振电压放大倍数 三、选频性能 1. K－f 特性 2. K/K0－f 特性 3. 通用谐振曲线 四、调谐放大器的最大增益、阻抗匹配条件 K0 受多种因素影响，一般是采用通过调整匝比的方法获得高的增益。 2.4 晶体管高频等效电路及频率参数 晶体管在低频工作时，常将晶体管的电流放大系数（ ）看成与频率无关的常数。 但晶体管在高频工作时，电流放大系数与频率则有明显的关系，频率越高，电流放大系数越小。这直接导致管子的放大能力下降，限制了晶体管在高频范围的应用。 复习晶体管低频等效电路 一、晶体管混合 型等效电路 晶体管在高频工作时，常用混合 型等效 电路来分析。该等效电路共有8个元件。 1. Rb’e是发射结的结电阻。一般是几百欧。 2. Rb’c 是集电结电阻。约为10kΩ至10MΩ 。 3.rbb’ 是基极体电阻。高频晶体管在15?50Ω之间。 4.rce 是集－射极电阻。它表示集电极电压对电流的影响。它的数值一般在几十千欧以上，典型值为30?50kΩ。 5.电流源 gmUb’e 代表晶体管的电流放大作用，它与加到发射结上的实际电压Ub’e 成正比，比例系数 gm 称为晶体管的互导。 6．Cb’e是发射结电容。它随工作点电流增大而增大。它的数值范围为20pF?0.01μF； 7．Cb’c 是集电结电容。它随c、b间反向电压的增大而减小，它的数值是10pF上下； 8． Cce 是集－射极电容。这个电容通常很小。一般在2?10pF之间。 二、晶体管的高频放大能力及频率参数  1. 晶体管的高频放大能力 共发射极短路电流放大系数： 2. 晶体管的频率参数 (1) 截止频率 （共射截止频率）： 下降到0.707 时的频率。 (2) 特征频率 fT 下降到1时的频率。 (3) 截止频率 （共基截止频率）： 下降到0.707 时的频率。 (4）最高振荡频率 fmax 晶体管的共射极接法功率放大倍数Kp 下降到1时的频率 。 3. 三个频率参数之间关系 、 、 三个频率的关系 式中 是一个系数，通常在0.6?0.9之间， 随晶体管类型而异。 4. Y参数的物理意义 晶体管的输入导纳 它说明了输入电压对输入电流的控制作用。 四、混合 型等效电路参数与Y参数的关系  晶体管的混合 型等效电路分析法物理概念比较清楚，对晶体管放大作用的描述较全面，各个参量基本上与频率无关。因此，这种电路可以适用于相当宽的频率范围。但该等效电路比较复杂。 Y参数等效电路是从外部来研究晶体管的作用。而且在实际中，高频放大器的谐振回路、负载阻抗和晶体管大都是并联关系的。因此，在分析放大器时，用Y参数等效电路比较适合，因为这时各并联支路的导纳可以直接相加，运算方便，此外，晶体管的Y参数可以用仪器直接测量。 总之，混合 型等效电路和Y参数等效电路是对同一对象（晶体管）两种不同的等效分析方法，各有特点，在实际中可根据具体情况选择采用哪一种方法。 * * 图2-20 单调谐放大器 图2-6 对谐振曲线的影响 图2-20 单调谐放大器 1. 电路组成 图2-21 调谐放大器集电极回路的等效电路 因为： 所以： 问题： 以前讲的信号源内阻如何反映在单调谐电路中？ 代入得 K/K0--f 特性 K--f 特性 ?=0 广义失谐量 在谐振点附近 ?仅与?有关，所以不管Q 如何变化，均可用同一条曲线表示----------通用