期中-工业1班电子技术.docVIP

景泰职专2012—2013学年度第一学期期中试卷11级工业（1）班《电子技术》 学号　　　班级　　　姓名　　　成绩 选择题（每小题2分，共30分） 1．PN结加适量反向电压时，空间电荷区将（　　　） A．变宽 B．变窄 C．不变 D．消失 2．若三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（　　　） A．PNP型硅管 B．PNP型锗管 C．NPN型锗管 D．NPN型硅管 3．图示电路中，VA＝3V，VB＝0V，若二极管的正向压降忽略不计，则VF为（　　　） A．－12V B．－9V C．0V D．3V 4.电路如图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V，则电路中电流I的值为（　　　）。 A.4mA B.0mA C.4A D.3mA 5.晶体管的主要特性是具有（　　　）。 A.单向导电性 B.滤波作用 C.稳压作用 D.电流放大作用 6.稳压管的稳压性能是利用PN结的（　　　）。 A.单向导电特性 B.正向导电特性 C.反向截止特性 D.反向击穿特性 7.半导体三极管是具有( )PN结的器件。 A.1个 B.2个 C.3个 D.4个 8.将交流电变为直流电的电路称为( )。 A.稳压电路 B.滤波电路 C.整流电路 D.放大电路 9.稳压电路如图所示，已知稳压管的稳定电压为12V，稳定电流为5mA，最大稳定电流为30mA，则稳压电路输出电压U0=( )。 A.0V B.30V C.10V D.12V 10.半导体三极管是一种（　　　） A.电压控制电压的器件 B.电压控制电流的器件 C.电流控制电流的器件 D.电流控制电压的器件 11.某工作在放大状态的三极管，当基极电流IB由60μA降低到40μA时，集电极电流IC由2.3mA降低到1.5mA，则此三极管的动态电流放大系数β为（　　　） A.37.5 B.38.3 C.40 D.57.5 12．下图电路中，设二极管为硅管，正向压降为 0.7V，则Y= （ ）。 A．0.7V B．3.7V C．10V D．1.5V 13．当晶体三极管发射结正偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（ ）。 A． 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 14．三极管的基极电流IB、集电极电流IC和射极电流IE的关系是（ ） A． IE = IB + IC B. IE = IB – IC C. IE = IC – IB C. IE = IC +IB 15．基本放大器的电压放大倍数Av=，当输入电压为10mV时，测得输出电压为500mV，则电压放大倍数是（ ）。 A． 10 B. 50 C. 500 C. 5 二、填空题（每小题2分，共20分） 1．P型半导体的载流子为 。 2．半导体是导电性能介于 之间的一些物质。 3．半导体二极管具有 导电性。 4．半导体三极管的工作的三个区是 、 、 。 5．当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC uB uE 。 6．硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。（大、小或相等） 7．硅二极管的正向导通压降为 Ｖ，锗二极管的正向导通压降为 Ｖ。 8. 已知某三极管放大电路的IB=10uA,IC=1mA,则该管的电流放大系数为 。 9. N型半导体中多数载流子是_____________。 10．NPN型三极管的电路图形符号为 。 三、简答题（每小题10分，共20分） 简述PN结的单向导电特性并画出硅二极管的伏安特性曲线。 简述三极的电流放大作用并简要地画出三极管的输入特性曲线和输出特性曲线。 四、分析计算题（每小题10分，共30分） 1．分别画出单相半波整流电路和单项桥式整流电路的电路原理图，并计算当变压器二次电压U2=12V时，两整流电路负载上的电压分别为多少。 2．已知三极管的输出特性曲线如下图，求Uce=4V,Ib=80Ua时的放大倍数β值。 画出单电源共发射极放大电路原理图，并画出Vi和Vo的波形，其中vi为一正弦波。并计算当输入信号电压为10mV，输出信号电压为1000mV时的电压增益Av。